a – p- n- p o’tishli
triodning tuzilishi; б – p- n- p o’tishli triodning shartli belgisi;
in – Indiy; Ge – germaniy; в – signal kuchaytirgichning elektr sxemasi.
Yarimo’tkazgichli tranzistor tuzilishi yarimo’tkazgichlarda bo’ladigan aralashma
elektron o’tkazuvchanligi xossasiga asoslanadi. Mendeleev davriy sistemasining
IV gruppasiga tegishli yarimo’tkazgich germaniy Ge moddasidan yasalgan
plastinaning ikki tomoniga III gruppaga tegishli indiy In moddasining ma'lum
miqdori termik ishlov berish yo’li bilan qoplansa (2-rasm), ular orasida zaryadlar
siljishi yuz beradi, natijada yarimo’tkazgich qotishmasida uchta p-
n
-p sohalar
hosil bo’ladi. Germaniy plastinasining chap va o’ng tomonida teshiklar, ya'ni
musbat zaryadlar p (positivus) to’planadi. O’rtada germaniy plastinasining o’zida
elektronlar, ya'ni
manfiy zaryadlar
n
(negativus) to’planadi. Bunday zaryadlarning
diffuziyasi natijasida germaniy plastinasi bilan indiy moddasi tutashgan
chegaralarda ikki xil potentsial to’siq p-
n
va
n
-p vujudga keladi (3-b rasm). Undagi
birinchi soha- emitter, o’rta soha - baza va o’ng tomondagisi-kollektor deb ataladi.
Bunday tranzistor emitter - baza zanjiriga manba E
Э
, va kollektor - baza zanjiriga
manba E
ю
ulansa, ma'lum sharoitda kiruvchi kichik signal - U
k
bir necha o’n yuz
marta katta bo’lgan chiquvchi signal U
ч
ga aylanishi mumkin.
Manba E ning qutblari p-
n
o’tishiga mos bo’lgani tufayli (+-) potensial to’siq
p-
n
larning qarshiligi juda kichik va manba E
Э
ning
kuchlanishi ham kichik
miqdorga to’g’ri keladi. Manba E
ю
ning qutblari n-p o’tishga teskari ulanganligi
(++) sababli potentsial to’siq (
n
-p)ning qarshiligi katta,
shu tufayli manba
kuchlanishi E
ю
va quvvati ham katta bo’lishi lozim. Signal kuchayishi manba (E
ю
)
hisobiga bo’ladi. Bunda yuk qarshiligi (nagruzka) R
ю
dan o’tadigan kollektor toki
I
Э
, manba E
ю
ga tegishli bo’lib, u emitter toki I
Э
bilan boshqariladi.
Elektr kuchaytirgichning sxemasiga (2-v rasm) muvofiq emitter o’tishi (p-
n
)
manbaning kuchlanishi qutblari bilan to’g’ri yo’nalishda, baza kollektor o’tishi esa
E
ю
bilan teskari yo’nalishda ulangan. Signal kuchaytirgichning ishlashini
quyidagicha tushunish mumkin.
Agar uzgichlar K
1
va K
2
ochiq (ulanmagan) bo’lsa, yarimo’tkazgichlar
germaniy plastinasi bilan indiy elementi tutashgan chegaralarda (1 va 2)
elektronlar
va teshiklar diffuziyasi natijasida
р
-
п
ва
п
-
р
turg’un zaryadlar va ularning qutblari
tufayli potensial to’siqlar vujudga keladi. Faqat uzgich К
1
ulangan bo’lsa, kirish
qarshiligi R, emitter va baza zanjiridan emitter toki o’tadi. Bu zanjirdagi manba
Е
э
va
р-п
o’tish qutblari o‘zaro to’g’ri yo’nalishda bo’lgani uchun p-
n
potensial to’siq
O’z.
Varaq
Hujjat №
Imzo
Sana
Varaq
1.20 N.XQM 00.00.000 HYo
emitter tokiga qarshilik ko’rsatmaydi, emitterdan birmuncha katta miqdorda tok
o’tishi mumkin.
Agar K
1
uzilgan va K
2
ulangan bo’lsa, yuklanish qarshiligi R
ю
, kollektor K va
baza zanjiridan tok o’tmaydi. Bunga potensial to’siq
n
-p
qutblari manba E
ю
qutblariga teskari yo’nalishda ekanligi sabab bo’ladi. Agar K
1
va K
2
(g ulangan
bo’lsa, manba E
э
kuchlanishga proporsional bo’lgani
emitter toki I
э
(zaryadlar
oqimi) manba E
ю
kuchlanish ta’sirida baza - kollektor tomoniga siljiydi va
n
-p
potensial to’siqni engib o’tib, kollektor toki I
k
ga aylanadi. Emitter tokining baza
orqali kollektorga bunday o’tishi «in'eksiya» deb ataladi. Emitter toki (teshiklar -
musbat zaryadlar oqimi) to’la ravishda kollektorga o’ta olmaydi.
Bu tokning bir
qismi emitterdan bazaga o’tganda bazadagi elektronlar va manbaning manfiy qutbi
elektronlari bilan bo’ladigan rekombinasiyalar tufayli kollektorga o’tmaydi va baza
toki sifatida manbaning (E
э
) manfiy qutbiga qaytadi. Baza toki I
б
emitter toki I
э
ning
1-8 foizini tashkil qiladi, ya'ni I
б
=(0,08-0,01) I
э
. Kollektor toki emitter toki I
э
bilan
baza toki I
б
ning ayirmasiga teng: I
k
= I
э
- I
б
, shuning uchun uni quyidagicha yozish
mumkin: I
k
=k' I
э
, bu erda: k'= 0,92-0,99-umumiy bazali triod sxemasining
kuchaytirish koeffisienti.
Kuchaytirgichdan chiquvchi signal
U
ч
= I
к
R
ю
=k'R
ю
I
э
=kI
э (2)
emitter tokiga mutanosib bo’lgani uchun emitter toki I
э
orqali boshqariladi.
