38
IMS tayyorlash uchun
p
– o
ʻtkazuvchanlikka ega, qalinligi
0,2÷0,4mm, bo
ʻlgan kremniy asosdan foydalaniladi (1.29-rasm).
Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha
bo
ʻlgan oʻrta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda
hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi).
Asos sirtida
termik oksidlash yo
ʻli bilan qalinligi 0,5÷1 mkm
bo
ʻlgan SiO
2
qatlam hosil qilinadi. Shundan so
ʻng birinchi
fotolitografiya oksid qatlamda «darcha»lar ochish uchun o
ʻtkaziladi.
Darchalar orqali 1÷2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki
margumush) diffuziya qilinadi. Natijada,
boʻlgʻusi
tranzistorlar
kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o
ʻtkazuvchi
n
+
̶ soha hosil
bo
ʻladi. Ushbu qatlam yashirin
n
+
̶ qatlam (choʻntak) deb ataladi. U
kollektor qarshiligini
kamaytiradi, Natijada, tranzistor tezkorligi ortadi,
kollektor esa ikki qatlamli
n
+
– n
bo
ʻlib qoladi.
1.29-rasm.
Asos va uning sirtida bir vaqtda
tayyorlanadigan IMSlar
tizimi.
Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi
8÷10 mkmni tashkil
etuvchi
n
– turli epitaksial qatlam o
ʻstiriladi va
epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi
fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi difuziyani o
ʻtkazish
uchun «darcha»lar ochiladi. Aktseptor kiritmalarni (bor) «darcha»lar
orqali qatlam oxirigacha diffuziya
qilib to
ʻrtta
n
– soha (sxemadagi
elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu
n
– sohalar bir-biridan
p–n
oʻtishlar yordamida izolyatsiyalangan boʻladi. Ushbu sohalarning biri
tranzistorning kollektori boʻlib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi,
39
kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolyatsiya-
langan
n
– sohalarga aktseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi.
Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchinchi
fotolitografiya yordamida shunday o
ʻlchamli «darcha»lar hosil
qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari
talab etilgan
nominallarni qanoatlantirsin.
Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi,
kollektor sohaning omik kontaktini hosil qiluvchi
n
+
–turli emitter
sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan
hosil qilingan oksid
qatlamida to
ʻrtinchi fotolitografiya yordamida zarur koʻrinishdagi
«darcha»lar ochib, ular orqali
n
+
̶ turli kiritma hosil qiluvchi atomlar
diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik
jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni o
ʻzaro ulash
bilan yakunlanadi. Bu SiO
2
qatlamda beshinchi
fotolitografiyani amalga
oshirish, alyuminiyni vakuumda purkash, alyuminiyni ishlatilmaydigan
sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish bilan amalga oshiriladi.
1.28-rasmda keltirilgan sxemaga mos IMS tuzilmasi 1.30-rasmda
ko
ʻrsatilgan.
