40
o
ʻtkazuvchanlikka ega boʻladi. Shuning uchun istok-asos va stok-asos
p–n
oʻtishlarning biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida
teskari ulanadi va izolyatsiyani ta’minlaydi.
2) Barcha tayyorlash jarayoni faqat MDYA – tuzilmani hosil
qilishga
olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida, balki
rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.
Shunday bo
ʻlishiga qaramasdan, kristalda yonma – yon joylashgan
va
turli o
ʻtkazuvchanlikli kanallarga ega komplementar MDYA –
tranzistorlarda (KMDYA) izolyatsiya talab etiladi. Izolyatsiyalash uchun
tranzistorlardan birini izolyatsiyalovchi cho
ʻntakchaga joylashtirish
kerak bo
ʻladi. Masalan, agar asos sifatida
p
–
kremniy ishlatilsa,
p
–
kanalli tranzistor uchun avval
n
– turli cho
ʻntakcha tayyorlanishi kerak.
MDYA – tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya
asosida yaratiladi. Bu texnologiyada
kremniy sirtida oksidlash,
fotolitografiya va ochilgan “darcha”larga kiritmalar diffuziyasini amalga
oshirish ilgaridek bajariladi.
MDYA – tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik
qatlamni hosil qilish
eng murakkab jarayon bo
ʻlgani uchun unga alohida
talablar qo
ʻyiladi. Xarakteristika tikligini oshirsh uchun (6.18)ga
muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak. Oxirgi
40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan kremniy ikki oksidi
(SiO
2
) qo
ʻllanilib keldi, zatvor esa kremniydan tayyorlandi.
Mikrosxemalarning
har bir yangi avlodiga o
ʻtish bilan izolyatsiyalovchi
qatlam qalinligi kichrayib bordi. Lekin, SiO
2
qatlam yupqalanishi bilan
sizilish toklari oshadi, ortiqcha issiqlik ajralishlar paydo bo
ʻladi va
tranzistor holatini boshqarish og
ʻirlashadi.
Bugungi kunda Intel korporatsiyasi tomonidan ishlab chiqarilayot-
gan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi (SiO
2
) 1,2 nm ni,
yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda. 2007 yildan buyon 45 nmli
ishlab chiqarish texnologiyasiga o
ʻtildi. Bu texnologiyada
kichik sizilish
tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik sifatida yuqori
dielektrik singdiruvchanlikka ega bo
ʻlgan gafniy tuzlari asosidagi
