|
O’zbekiston aloqa va axborotlashtirish agentligiBog'liq elektronikaanalog
va
raqamli
larga
bo
ʻlinadi. Analog ISlarda signal uzluksiz funksiya sifatida oʻzgaradi.
Eng keng tarqalgan analog IS – operatsion kuchaytirgichdir. Raqamli
ISlar diskret ko
ʻrinishda berilgan signallarni oʻzgartirishga va qayta
ishlashga xizmat qiladi.
Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni
tayyorlash
BTli IMSlar elementlari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar,
kondensatorlar) asosini
n
+
–p–n
tuzilma tashkil etadi.
IMS tayyorlash uchun
planar
,
planar–epitaksial texnologiyalar-
dan foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar
p
– yoki
n
– turli
yarimo
ʻtkazgich asosda hosil qilinadi. Planar–epitaksial texnologiyasida
elementlar asos sirtiga o
ʻstirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma – navbat donor
va aktseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, Natijada, sirt tagida
turli o
ʻtkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlamlar chegarasida
p–n
oʻtishlar hosil boʻladi. Alohida qatlamlar rezistorlar sifatida,
p–n
oʻtishlar esa diod va tranzistor tuzilmalari sifatida ishlatiladi.
Kondensatorlar sifatida teskari siljitilgan
p–n
oʻtishlar xizmat qiladi.
Integral rezistorlar.
Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
Rezistor qarshiligi berk holatdagi
p–n
oʻtish chegarasi bilan cheklangan
qatlamning
hajmiy qarshiligidan iborat boʻladi.
Emitter soha asosida qarshiligi 3÷
100 Om boʻlgan kichik
qarshilikli rezistorlar hosil qilinadi, chunki emitter qatlamning
s
olishtirma qarshiligi kichik boʻladi.
Katta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirma qarshilikka
ega baza qatlamda tayyorlanadi. Bunday rezistorlarning maksimal
qarshiligi 200÷300 ko
m boʻladi.
|
| |
