34
bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod yoki
tranzistorlar
yig
ʻmalari kiradi.
Elementlari yarimo
ʻtkazgich asosning sirtiga
yaqin qatlamda hosil
qilingan mikrosxemalar
yarimo
ʻtkazgich IMS
deb ataladi.
Elementlari dielektrik asos sirtida
parda ko
ʻrinishida hosil qilingan
mikrosxemalar
pardali IMS
deb ataladi. Pardalar turli materiallarni past
bosimda yupqa qatlam sifatida o
ʻtkazish yoʻli bilan hosil qilinadi. Parda
hosil
qilish usuli va u bilan bog
ʻliq parda qalinligiga muvofiq IMSlarni
yupqa pardali
(qalinligi 1-2 mkm) va
qalin pardali
(qalinligi 10
mkmdan yuqori) larga ajratiladi. Adabiyotlarda ko
ʻp hollarda IMS
yozuv o
ʻrniga IS deb yoziladi.
Hozirgi kunda pardali diod va tranzistorlarning parametrlari
barqaror bo
ʻlmagani sababli, pardali IMSlar faqat passiv elementlarga
(rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega.
Pardali texnologiyada element parametrlarining ruxsat
etilgan
tarqoqligi 1÷2 % dan oshmaydi. Passiv elementlar parametrlari va
ularning barqarorligi hal qiluvchi ahamiyat kasb etganda bu juda muhim
boʻladi. Shu sababdan pardali ISlar ba’zi
filtrlar, faza oʻzgarishiga sezgir
va tanlovchi sxemalar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda
ishlatiladi.
