37
Intergal diodlar.
Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil
qilinadi. Tranzistorning istalgan
p–n
oʻtishi
diod hosil qilish uchun
ishlatilis
hi mumkin. Koʻp hollarda baza-emitter oʻtishi, kollektor baza
bilan tutashtirilgan holda (
U
KB
=0) yoki kollektor zanjiri uzilgan holda
(
I
K
=0) baza-emitter o
ʻtish ishlatiladi. Bunday diodlarning ochiq holatdan
berk holatga o
ʻtish vaqti eng kichik boʻladi.
IMS
tayyorlashda yarimo
ʻtkazgich asosning bir tomoniga ishlov
beriladi, hosil qilingan elementlarning chiqish elektrodlari
plastina
sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun «planar texnologiya»
deb nom berilgan.
Yarimo
ʻtkazgich IMSlarni tayyorlashda operatsiyalar ketma-
ketligi mikrosxemada elementlarni elektr jihatdan izolyatsiyalash
usullari bilan belgilanadi:
elementlarni teskari siljitilgan p–n o
ʻtishlar
bilan izoyaltsiyalash
;
dielektrik (SiO
2
qatlam) yordamida
izolyatsiyalash
. Shu munosabat
bilan yarimo
ʻtkazgich IMSlar
tayyorlashni ikkita asosiy jarayoni:
a) elementlarni
p–n
oʻtish bilan izolyatsiyalovchi planar –
epitaksial texnologiya;
b) dielektrik qatlam SiO
2
yordamida izolyatsiyalovchi planar –
epitaksial texnologiya (EPIC - texnologiya) mavjud.
