41
MDYA – tranzistorlar ichida metall - nitrid kremniy - dielektrik -
yarimo
ʻtkazgich (MNDYA) tranzistorlar (1.31-a rasm) alohida oʻrin
tutadi Bunday tranzistorlar xotira elementi rolini
bajaradi va qayta
dasturlanuvchi xotira qurilmalar asosini tashkil etadi.
a) b)
1.31-rasm.
MNDYA – tranzistor tuzilmasi (a) va
stok-zatvor VAXi (b).
Ushbu tranzistor dielektrigi ikki qatlamdan: qalinligi 2÷5 nmni
tashkil etuvchi SiO
2
va kremniy oksidi ustiga purkalgan 0,05÷0,1 mkm
qalinlikdagi Si
3
N
4
kremniy nitrididan tashkil topadi.
Mantiqiy 1 ni hosil qilish uchun zatvorga qisqa (100 mks)
musbat
impuls beriladi, bunda elektronlar asosdan yupqa SiO
2
orqali tunnel
o
ʻtib ikki qatlam chegarasida toʻplanadi, chunki
qalin Si
3
N
4
qatlam
elektronlarni o
ʻtkazmaydi. Toʻplangan zaryad mantiqiy 1 ni yozishda
berilgan impuls o
ʻchirilgandan soʻng ham saqlanib qoladi. Boʻsagʻaviy
kuchlanish
U
01
qiymati
U
02
gacha qiymatli impuls berilgandan so
ʻng
kamayadi (1.31-b rasm).
Axborotni o
ʻqish uchun tranzistor zatvoriga
U
cr
kuchlanish
beriladi. Uning absolut qiymati
U
01
va
U
02
orasida bo
ʻlish kerak. Agar
mantiqiy 1 yozilgan bo
ʻlsa, tranzistor ochiq, agar mantiqiy 0 boʻlsa,
berkligicha qoladi.
