295
Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi
chap va
oʻng
tomonlar kirish qarshiliklari
yigʻindisiga teng boʻladi va signal
manbaiga nisbatan ketma
- ket ulangan
boʻladi.
R
E
=0
boʻlganda:
[
]
B
E
КIR
r
r
R
+
+
=
)
1
(
2
β
.
β
=100,
r
E
=250 Om va
r
B
=150 Om
boʻlsin, bunda
R
KIR
=5,35 kOm
boʻladi.
β
ning qiymati
tranzistor sokinlik tokiga
I
B0
bogʻliq. Shuning
uchun kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida
ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsiyenti
va DK kirish
qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan
foydalaniladi.
Koʻproq Darlington sxemasi ishlatiladi (10.10-rasm).
Bunday DKning tok
boʻyicha
kuchaytirish koeffitsiyenti
2
2
21
β
=
≈
E
I
h
K
.
10.10-rasm.
Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi.
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
1
2
1
1
2
1
B
BE
КIR
B
BE
BE
B
BE
I
U
R
I
U
U
I
U
R
+
=
+
=
=
.
296
boʻladi. Oʻzgartirishlarni kiritib:
2
2
1
)
1
(
КIR
КIR
КIR
КIR
R
R
R
R
β
β
≈
+
+
=
.
Demak, tarkibiy tranzistorlar
qoʻllanilganda DK kirish qarshiligi
β
marta ortar ekan.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga
ega MTlarni
qoʻllab
ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda
p – n
oʻtish bilan
boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteris-
tikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali
p–n
oʻtish bilan boshqariladigan
n
–kanalli MTlar asosidagi
DKning ananaviy sxemasi 10.11-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi
BTG VT3 tranzistor bilan
R
I
rezistor asosida hosil qilingan.
10.11-rasm.
MTlar asosidagi DK sxemasi.
R
SIL1
va
R
SIL2
rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga
boshligʻich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi
teskari siljitilgan
p – n
oʻtishning differensial qarshiligidan iborat boʻladi
va 10
8
÷ 10
10
Om ni tashkil etadi.
Ba’zan DK kirish qarshiligini
oshirish uchun
n
–kanalli
p–n
oʻtish
bilan boshqariladigan MT va
n–p–n
tuzilmali BTlardan tashkil topgan
tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi.
297
DKlarning barcha
koʻrilgan turlari har xil OKlarning kirish
kaskadlari sifatida ishlatiladi.
