O’zbekiston aloqa va axborotlashtirish agentligi

299 
tranzistorlar 
oʻta yuklanishdan, masalan, yuklama elektrodi tasodifan 
kuchlanish manbaining elektrodiga ulanishidan himoyalangan. 
10.14-rasm.
AB sinf rejimida ishlaydigan CHK sxemasi. 
Keltirilgan sxema elementlari vazifasini 
koʻrib chiqamiz. 
VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni 
hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi 
qoʻshimcha kaskad 
ishlatilgan. U UE sxemada ulangan. Rezistor 
R
chiqish toki 
boʻyicha 
ketma-ket manfiy TA zanjirini hosil qiladi. U kaskad ish rejimini 
barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun CHK kuchaytirish 
koeffitsiyentini oshiradi. 
R
qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A 
nuqta potensiali, sokinlik rejimida nolga teng 
boʻlsin. VD1 va VD2 
diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil 
boʻlgani uchun B 
nuqta potensiali (sokinlik rejimida kaskadning CHK kuchlanishi) ham 
nolga teng 
boʻladi. 
VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning 
yelkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida
yuklama toki kuchaytirgichning 
oʻz yelkasi bilan hosil qilinadi. VT4 va 
VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni 
oʻta yuklanishdan saqlash 
uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AB sinf 
ish rejimini ta’minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish 
zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter – baza kuchlanishlarni 
berish uchun xizmat qiladi. 
BTG toki 
I
0
 
signal mavjud 
boʻlmaganda, diodlardagi kuchlanish 
pasayishi kichik 
boʻladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va 
VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda 
boʻladi. 

300 
Kuchaytirgich kaskadning ishlash prinsipini 
koʻrib chiqamiz. VT3 
tranzistor kirishiga signalning musbat yarim davri berilgan 
boʻlsin. U 
emitter toki va, mos ravishda, ushbu tranzistor kollektor tokining 
ortishiga olib keladi. Bunda C nuqta potensiali pasayadi, chunki bu 
nuqtaga keluvchi tok qiymati 
oʻzgarmas va BTG toki 
I
0
ga teng, undan 
ketuvchi tok (VT3 tranzistor kollektor toki) qiymati esa ortadi. VT1 
tranzistor bazasi bilan ulangan C nuqta potensialining pasayishi VT1 ni 
berkitadi va uning baza toki nolga teng 
boʻlib qoladi. Lekin bunda VD1 
va VD2 diodlardan 
oʻtuvchi tok 
I
0
ga teng 
boʻladi va F nuqta potensiali, 
C nuqta holatidek sababga 
koʻra, pasayadi. F nuqta potensiali pasayishi 
(VT2 tranzistor baza potensiali) VT2 tranzistor baza tokining ortishiga, 
demak, ushbu tranzistor emitter tokining ham ortishiga olib keladi. BTG 
mavjud 
boʻlgani sababli baza tokining oʻzgarishi VT3 tranzistor 
kollektor toki 
oʻzgarishiga teng, ya’ni
2
3
B
K
I
I
∆
=
∆
. (10.12) 
VT2 tranzistor emitter toki ortishi yuklamada 
toʻgʻri yoʻnalishda 
tok paydo 
boʻlishiga olib keladi. VT1 tranzistor berk boʻlgani uchun
2
E
Yu
I
I
∆
=
. (10.13) 
Tranzistor toklari orasidagi munosabatlarni e’tiborga olgan holda, 
(2.12) va (2.13) asosida: 
3
2
3
)
1
(
B
Yu
I
I
∆
+
=
β
β
teng 
boʻladi. Bu yerda 
β
3
 
, 
β
2
– mos tranzistorlar baza toklarini uzatish 
koeffitsiyentlari qiymatlari. 
Shunday qilib, kaskadning tok 
boʻyicha kuchaytirish koeffitsiyenti
)
1
(
2
3
+
=
β
β
I
K
. 
Kirishga manfiy yarim davrli kuchlanish 
U
KIR
 
berilganda VT1 
tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa berk 
boʻladi. Yuklamadagi kirish 
toki teskari 
yoʻnalishga ega boʻladi. 
Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 
tranzistorlarning 
toʻgʻri siljigan EOʻlari qarshiligiga teng, ya’ni juda 
kichik 
boʻladi. 

301 
VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari 
quyidagicha amalga oshadi. Normal ish rejimida ular berk. Katta 
signalda yoki chiqish tasodifan kuchlanish manbaining elektrodlaridan 
biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va 
Natijada, himoyalovchi VT1 yoki VT2 tranzistorlar baza tokining bir 
qismi oqadi va shu bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter - baza 
oʻtishi shuntlanadi. Bu ularni oʻta yuklanishdan saqlaydi. 
Quvvat kuchaytirgichlarda chiqish tranzistorlari sifatida tarkibiy 
tranzistorlardan foydalaniladi. Ushbu prinsiplar MTlar asosidagi 
CHKlarni loyihalashda ham ishlatiladi. BTlar asosidagi qurilmalarga 
qaraganda bunday sxemalar nochiziqli buzilishlarning kichikligi va 
temperaturaga bardoshligi bilan farq qiladilar. 

Download 6,22 Mb.