294
ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish
rejimlari
saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati ham ortadi.
Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun,
R
K
rezistorlar
oʻrniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik
yuklama bipolyar yoki maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi.
Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 10.9-rasmda
keltirilgan. Ikkinchi BTG
p–n–p
turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida
yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va
emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.
BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan
koʻp
marta kichik. Bu holda,
BTGdan sokinlik toki oqib
oʻtishi hisobiga
kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal
berilganda kollektor toklarining
oʻzgarishi hisobiga chiqish
kuchlanishining
oʻzgarishi uning differensial qarshiligi bilan bogʻliq
boʻladi. Shuning uchun (10.11) formulada
R
K
oʻrniga
R
DIF
qoʻyilishi
kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan
maksimal qiymati topiladi. Tashqi yuklama
ulanganda kuchaytirish
koeffitsiyentining absolut qiymati faqat uning qarshiligi
R
Yu
bilan
aniqlanadi, ya’ni (10.11) formulada
R
K
oʻrniga
R
Yu
qoʻyilishi kerak.
DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni
kuchaytirish koeffitsiyentidan, sinfaz
tashkil etuvchini
soʻndirish
koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari ham kiradi.
Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi
R
Yu
e’tiborga olinmaganda
DKning chiqish qarshiligi
2
1
K
K
CHIQ
R
R
R
+
≅
.
