zinasimon
(
koʻp yarusli, daraxtsimon)
ulanishini keltirishimiz mumkin. Bunda sochilish quvvati kamayadi va
87
KIS kristallida sxema egallaydigan sirt yuzasi kichrayadi. Ikki zinali
EBM sxemasi 2.21-rasmda keltirilgan (chiqishida emitter qaytargichlar
koʻrsatilmagan).
2.20-rasm.
Ikkita EBM ME chiqishlarini birgalikda ulanishi.
2.21-rasm.
Ikki zinali EBM sxemasi.
Sxema uchta tok qaytargichdan tashkil topgan, ular: VT1 va VT1
/
diffrensial juftlikdan iborat pastki zina qayta ulagichi va VT2 - VT2
/
va
VT3 – VT3
/
differensial juftliklardan tashkil topgan yuqori zina qayta
ulagichlari.
Pastki zina tok qayta ulagichi
X3
signali yordamida, yuqori zina
tok qaytargichlari esa
X1
va
X2
signallari bilan boshqariladi. Yuqori
zinadagi har bir qayta ulagich pastki zina qayta ulagichi yelkalaridan
birini tashkil etadi. Qayta ulanish toki VT4 tranzistorda tuzilgan tok
generatoridan beriladi. Tok qiymati manba kuchlanishi
E
M
, tayanch
kuchlanishi
E
B
va rezistor
R4
qarshiligi bilan belgilanadi. Sxema amalga
oshirayotgan mantiqiy funksiya turini aniqlaymiz.
88
Agar
X3
kirishga mantiqiy 0 berilsa, EBMni yuqorida
koʻrib
oʻtilgan xossalaridan kelib chiqqan holda,
X1
va
X2
kirishlarning
ixtiyoriy kombinatsiyalarida
Y1
va
Y2
chiqishlarda mantiqiy 1 hosil
boʻladi. Agar
X3
kirishga mantiqiy 1 berilsa va
X1
=
X2
=0
boʻlsa, u
holda,,
Y1
chiqishda mantiqiy 1 saqlanib qoladi. Boshqa holatlarda
Y1
chiqish mantiqiy 0 ga mos keladi.
Y2 chiqishda esa aksincha, faqat
X
1
=
X
2
=0
boʻlgandagina mantiqiy 0 hosil boʻladi.
X3
ning berilgan
qiymatlarida uchinchi va t
oʻrtinchi chiqishlar,
____
3
X
ga mos keluvchi
birinchi va ikkinchi chiqishlar qiymatlarini takrorlaydi. Bu t
oʻrttala
funksiya haqiqiylik jadvalini tuzib, ular
___
__________
3
)
2
1
(
1
X
X
X
Y
+
+
=
;
___
3
)
2
1
(
2
X
X
X
Y
+
+
=
;
3
)
2
1
(
3
__________
X
X
X
Y
+
+
=
;
3
2
1
4
X
X
X
Y
+
+
=
ekaniga ishonch hosil qilamiz.
Yuqoridagilardan kelib chiqadiki, EBM sxemotexnikasi TTMga
nisbatan funksional jihatdan moslanuvchan va turli murakkablikdagi
mantiq algebrasini yaratish imkonini beradi. Bu xossa matritsali kris-
tallar asosida buyurtmaga asosan KISlar yaratishda keng
qoʻllaniladi.
2.9-jadval
EBM seriya elementlari turlari
EBM RIS
parametrlari
seriya
K137
100, K500, 700
1500
I
0
KIR
, mkA
0,5
0,5
0,5
I
1
KIR
, mkA
200
265
200
U
0
CHIQ
, V
- 1,6
- 1,6
- 1,65
U
1
CHIQ
, V
- 0,8
- 0,9
- 0,96
K
TARM
15
15
15
K
BIRL
9
9
9
t
oʻrt.kech
, ns
6
2,9
0,7
P
ISTR
, mVt
70
35
50
I
M
, mA
15
26
-
E
M
, V
- 5,2
- 5,2
- 4,5
Bundan tashqari,
koʻpgina maxsus maqsadlar uchun ishlab
chiqilgan EBM sxemalari mavjud (ikkilik axborotni indikatsiya qilish
uchun, ma’lum shakldagi signallarni shakllantirish uchun va boshqalar).
89
EBM elementlari bir necha seriya (K137, K187, K229, 100, K500,
500 va boshqalar)
koʻrinishida ishlab chiqariladi. Bu seriyalar funk-
sional va texnik t
oʻliqlikka ega, ya’ni ixtiyoriy arifmetik va mantiqiy
amallarni hamda saqlash, yordamchi va maxsus funksiyalarni bajarili-
shini ta’minlaydi. EBM elementlar parametrlari 2.9-jadvalda kelti-
rilgan.
EBM negiz elementining shartli garfik belgilinishi 2.22-rasmda
koʻrsatilgan boʻlib, u yerda
X1
,
X2
- kirishlar,
Y1
– invers chiqish;
Y2
–
toʻgʻri chiqish. Element musbat mantiq uchun bir vaqtning oʻzida ikkita
funksiyani amalga oshiradi:
Y1
chiqish
boʻyicha 2YOKI-EMAS (Pirs
elementi) va
Y2
chiqish
boʻyicha 2YOKI (dizyunksiya). Ikki kirishli
MEning haqiqiylik jadvali 2.10-jadvalda keltirilgan.
|
