2.17-rasm.
Tok qayta ulagichi.
Aktiv rejimda emitter tokining baza - emitter kuchlanishiga
bogʻ-
liqligi kirishdagi VT1 tranzistor uchun quyidagi ifoda bilan approksi-
matsiyalanadi
T
E
КIR
U
U
E
E
е
I
I
ϕ
/
)
(
01
1
−
=
, (2.15)
VT2 tranzistor uchun esa
82
T
E
U
U
E
E
е
I
I
ϕ
/
)
(
02
2
0
−
=
. (2.16)
Bu ifodalarda emitter tokining
U
EB
=0 va
U
KB
≠0 boʻlgandagi
qoldiq qiymati
I
E0
. Integral texnologiyada egizaklik prinsipiga muvofiq
I
E01
=
I
E02
. Xona temperaturasida
=
=
q
kT
T
/
ϕ
0,025 V.
(2.14), (2.15) va (2.16) lardan foydalanib,
T
КIR
U
U
U
E
e
I
I
ϕ
/
)
1
(
0
1
0
0
1
−
+
=
,
T
КIR
U
U
U
E
e
I
I
ϕ
/
)
1
(
0
2
0
0
1
−
−
+
=
(2.17)
ga ega
boʻlamiz.
Sxema simmetrik, shuning uchun ikkala BT baza potensiallari teng
boʻlganda (
U
KIR
=
U
0
) har bir yelkadan oqib
oʻtayotgan tok
I
0
/ 2 ga
teng.
Tayanch kuchlanish
U
0
= 1,2 V
boʻlsin. Agar
U
KIR
qiymati
Δ ≤ 0,1
V ga kamaysa, u holda, (2.17) ga muvofiq ,
I
E1
tok
I
0
ga nisbatan 1 %
gacha kamayadi,
I
E2
tok esa 99 % gacha ortadi. Demak, kirish signali
U
-
KIR
≤
U
0
–
Δ (mantiqiy 0) boʻlganda VT1 tranzistor berk boʻladi, VT2
tranzistordan esa t
oʻliq
I
0
toki oqib
oʻtadi.
Agar aksincha
boʻlsa, ya’ni
U
KIR
qiymati
Δ ≥ 0,1 V ga ortsa, u
holda, (2.17) ga muvofiq,
I
E1
tok
I
0
ga nisbatan 99 % gacha ortadi,
I
E2
tok esa 1 % gacha kamayadi. Demak, kirish signali
U
+
KIR
≥
U
0
+
Δ
(mantiqiy 1)
boʻlganda VT2 tranzistorni berk deb hisoblash mumkin,
VT1 tranzistordan esa t
oʻliq
I
0
tok oqib
oʻtadi. Natijada, ideal tok qayta
ulagichiga ega
boʻldik. Sathlar orasidagi farq – qayta ulanish kichikligi
uning kamchiligi hisoblanadi, chunki qayta ulanish sohasi kirish signal-
larini tayanch kuchlanish
U
0
dan
U
QU
=
U
+
KIR
–U
-
KIR
=2
Δ≈ 0,3 V qiymatga
oʻzgarishi bilan aniqlanadi. Demak, xalaqitlarga bardoshlik ham kichik
boʻladi. Lekin mantiqiy oʻtish vaqtining kichikligi hamda toʻyinish reji-
mining
yoʻqligi hisobiga tok qayta ulagichining qayta ulanish vaqti juda
kichik
boʻlib, 3 nsdan oshmaydi.
Tranzistor aktiv rejimda qoladigan maksimal
U
+
KIR
qiymatini aniq-
laymiz. Buning uchun
U
KB
≥0 (
U
K
≥
U
B
) shart bajarilishi kerak. Tranzis-
torning baza potensiali kirish signali bilan, kollektori potensiali
esa
K
M
K
R
I
E
U
0
α
−
=
(2.18)
83
ifoda yordamida aniqlanadi.
U holda, tranzistor aktiv rejim chegarasida (
U
K
=
U
B
) qoladigan
U
+
KIR
qiymati quyidagi munosabat bilan aniqlanadi
∆
+
=
−
=
+
0
0
U
R
I
E
U
K
М
КIR
α
. (2.19)
(2.19) shart bajarilishi, berilgan
E
M
,
U
0
va
U
+
KIR
qiymatlarida
tranzistorning aktiv ish rejimi ta’minlanishi uchun
R
K
rezistorlar qarshi-
ligi kichik (200 Omgacha) qilib tanlanadi.
Alohida kalitlar (qayta ulagichlar) asosan analog sxemalarda
qoʻl-
laniladi. Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir
necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi. Qayta ulagichlar ketma-
ketligi ishga layoqatligini ta’minlash maqsadida kirish va chiqishlar
boʻyicha mantiqiy 0 va mantiqiy 1 sathlar muvofiqlashtirilgan boʻlishi
kerak. Afsuski, mazkur turdagi qayta ulagichlarda sathlar mosligi mav-
jud emas, chunki
Y
1 va
Y
2 chiqishlardan olinayotgan chiqish kuchlanishi
doim U
0
dan katta
boʻladi.
Shu sababli, bunday qayta ulagichlarni
ketma-ket ulab
boʻlmaydi. Buning uchun maxsus muvofiqlashtiruvchi
kaskadlar
qoʻllaniladi. Ular kuchlanish sathini siljitish qurilmasi deb
ataladi. Emitter qaytargichlar bunday qurilmaning sodda sxemasi
boʻlib
hisoblanadi. Qaytargichda chiqish (emitter) potentsialining sathi tayanch
potensial sathidan
U
*
kattalikka past
boʻladi.
2.18-rasm.
Ikkita kirishli EBM ME sxemasi.
Tok qayta ulagichini EBM elementga
oʻzgartirish uchun uning
chap yelkasini parallel ulangan (kirishlari
boʻyicha) tranzistorlar bilan
84
almashtirish kerak. Ikkita kirishli EBM element sxemasi 2.18-rasmda
keltirilgan.
VT1 va VT2 tranzistorlardan ixtiyoriy birining (yoki barovariga)
berkilishi
I
0
tokni chap yelkadan
oʻng yelkaga oʻtishiga olib keladi.
VT4 va VT5 emitter qaytargichlar kollektor potensiallari sathlari
U
*
kattalikka siljitiladi, bu bilan EBM zanjirning ishga layoqatligi
ta’minlanadi.
Deylik, ikkala kirishga mantiqiy 0 potensial berilgan
boʻlsin. U
holda, VT1 va VT2 tranzistorlar berk, VT3 tranzistor ochiq
boʻladi.
Demak, U1 chiqishda mantiqiy 1 sathi
oʻrnatiladi. VT1 va VT2
tranzistorlar berk
boʻlganligi sababli ularning kollektor potensiallari
U
K1,2
=
YEM
. VT4 EO‘idan
U
*
kuchlanishni olib tashlasak, mantiqiy 1
sath
*
1
U
E
U
M
−
=
. (2.20)
ekanligi kelib chiqadi.
VT3 tranzistor bilan VT5 qaytargich ham mantiqiy funksiya
bajaradi.
X1
=
X2
=
U
0
boʻlganda VT3 tranzistor ochiq, demak, U2
chiqishda mantiqiy 0 sathi
oʻrnatiladi. VT3 tranzistor toʻyinish
chegarasida turibdi deb faraz qilaylik, ya’ni
U
KB3
=0. U holda,
tranzistordagi qoldiq kuchlanish EO‘dagi kuchlanishga teng
boʻladi
(
U
QOL
=
U
*
).
U
*
kuchlanishni olib tashlasak va (2.20) ifodaga
qoʻysak,
mantiqiy 0 sathiga ega
boʻlamiz
*
0
2
U
E
U
M
−
=
. (2.21)
(2.20) va (2.21) ifodalardan foydalanib, mantiqiy
oʻtish qiymatini
aniqlaymiz:
≈
=
−
=
*
0
1
'
U
U
U
U
МO
0,7 V.
Endi biror kirishga, masalan,
X1
ga mantiqiy 1 potensial berilgan
boʻlsin. U holda, VT1 tranzistor ochiladi, VT3 tranzistor esa berkiladi.
Natijada, U1
chiqishda mantiqiy 0 kuchlanishi, U2
chiqishda esa
mantiqiy 1 kuchlanishi
oʻrnatiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 berilganda
ham vaziyat
oʻzgarmaydi. Hosil boʻlgan haqiqiylik jadvali 4.4-jadvalda
keltirilgan. Jadvaldan, sxema U1 chiqish
boʻyicha
__
__________
2
1
1
X
X
Y
+
=
mantiqiy
amalini, U2
chiqish
boʻyicha esa
2
1
1
X
X
Y
+
=
mantiqiy amalini bajarishi
ma’lum
boʻlib turibdi.
85
Shuni ta’kidlash kerakki, chiqishda emitter qaytargichlarning
qoʻl-
lanilishi mantiqiy
oʻtishni 0,7V gacha va xalaqitlarga bardoshlikni
deyarli 0,3 V gacha oshirdi. Bundan tashqari, emitter qaytargichdagi
kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortdi va
yuklamadagi
sigʻim qayta zaryadlanishi tezlashdi.
Manbaning manfiy qutbi umumiy deb olingan EBM sxemaning
kamchiligi
boʻlib chiqish signali mantiqiy sathlarining kuchlanish
manbai qiymatiga
bogʻliqligi hisoblanadi. Bu (2.20) va (2.21) lardan
kelib chiqadi. Bundan tashqari, chiqish umumiy nuqta bilan qisqa
tutashganda emitter qaytargich tranzistori ishdan chiqadi.
Kuchlanish manbai
E
M
ning musbat qutbini umumiy nuqtaga ulab
aytib
oʻtilgan kamchiliklarni bartaraf etish mumkin. U holda,
=
−
=
+
−
=
*
1
1
U
U
E
U
M
- 0,7 V;
=
−
=
+
−
=
*
0
0
2
U
U
E
U
M
- 1,4 V.
Bunda, sxemaning ish prinsipi, albatta,
oʻzgarishsiz qoladi.
500 seriyaga mansub EBM elementning prinsipial elektr sxemasi
2.19-rasmda keltirilgan.
|
