90
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tran-
zistorlarda izolatsiyalovchi ch
oʻntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shu-
ning uchun, bir xil murakkablikka ega
boʻlganda, MDYA – tranzistorli
IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik
oʻlchamlarga ega
va yasalish
texnologiyasi sodda
boʻladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy
kamchiligi – tezkorlikning kichikligidir. Yana bir kamchiligi – katta
iste’mol kuchlanishi
boʻlib, u MDYA
ISlarni BT ISlar bilan muvo-
fiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha katta
boʻlmagan tezkorlikka ega boʻlgan va kichik tok iste’mol qiladigan
mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda
qoʻllaniladi. MDYA ISlarda eng
yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan
boʻlib, bir kristallda yuz ming-
lab
va undan
koʻp komponentlar joylashishi mumkin.
MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi
MDYA–tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit – invertorlar
yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar
tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
Mantiqiy IMSlar tuzishda
n
– yoki
p
–kanali induksiyalangan
MDYA–tranzistorlardan foydalanish mumkin.
Koʻproq
n
–kanalli
tranzistorlar
qoʻllaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovak-
larnikiga
nisbatan yuqori
boʻlganligi sababli mantiqiy IMSlarning
yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari,
n
–MDYATM sxemalar
kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari
boʻyicha TTM sxemalar
bilan t
oʻliq muvofiqlikka ega.
Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS ME sxemalari 2.23-
rasmda keltirilgan.
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar
doim ochiq holatda
boʻladi, chunki ularning
zatvorlari kuchlanish
manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik
qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
2HAM-EMAS sxemada (2.23-a rasm) pastki VT1 va VT2
tranzistorlar ketma-ket, 2YOKI-EMAS sxemada esa (2.23-b rasm) –
parallel ulanadi.
2HAM-EMAS ME ishini
koʻrib chiqamiz. Agar qayta ulanuvchi
tranzistorlar birining kirishidagi potensial
boʻsag‘aviy potensial
U
0
dan
kichik
boʻlsa, ya’ni
U
KIR
<
U
0
(mantiqiy 0)
boʻlsa, u holda, bu tranzistor
berk
boʻladi. Bu vaqtda yuklamadagi VT0 tranzistor stok toki ham nolga
teng
boʻladi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba kuchlanishi
E
M
qiymatiga
yaqin
boʻlgan, ya’ni mantiqiy birga mos kuchlanish
oʻrnatiladi.
