97
Agar sxemaning kirishiga
berilgan kuchlanish
U
0
KIR
<
U
*
boʻlsa, u
holda, qayta ulanuvchi VT2 tranzistorning ikkala
oʻtishi berk boʻladi.
VT1 injektordan berilayotgan tok
I
M
, qayta ulanuvchi tranzistor
bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. Bu holatda chiqish kuchlanishi
keyingi kaskad qayta
ulanuvchi VT2
/
tranzistorining
toʻgʻri siljitilgan
p
−
n
oʻtishi kuchlanishiga teng boʻladi, ya’ni
U
1
CHIQ
=
U
*
≈0,7 V. Agar
sxemaning kirishidagi kuchlanish
U
1
KIR
>
U
*
boʻlsa, u holda, qayta
ulanuvchi VT2
tranzistor ochiladi.
p
2
sohaga kelib tushayotgan kovaklar
bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor
toʻyinish rejimiga oʻtadi.
p
2
soha potensiali injektor potensialiga
deyarli teng
boʻladi. VT2
tranzistorning emitter-baza
oʻtishi toʻgʻri yoʻnalishda siljiydi va
elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi.
Kollektorga kelayotgan elektronlar
p
2
sohadan
kelgan kovaklarni
neytrallaydi. Natijada, kollektor potensiali pasayadi va baza
potensialidan kichik
boʻlib qoladi. VT2 tranzistor toʻyinish rejimiga
oʻtadi va element chiqishida toʻyingan tranzistor kuchlanishiga teng
boʻlgan kichik sathli kuchlanish oʻrnatiladi. Real sharoitda u 0,1÷0,2 V
ga teng. Shunday qilib, I
2
M negiz ME uchun
quyidagi munosabatlar
haqiqiydir:
U
0
=0,1÷0,2 V;
U
1
=0,6÷0,7 V. Bundan I
2
M negiz ME uchun
mantiqiy
oʻtish
U
MO‘
=0,4÷0,6 V ekanligi kelib chiqadi.
2.26-rasmdagi sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YOKI-
EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
Masalan, 2.27-rasmda ikkita invertorni metall
oʻtkazgichlar bilan
tutashtirish
yoʻli bilan 2YOKI-EMAS funksiyasini amalga oshirish
mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1
tranzistorda hosil qilingan
yagona
koʻp kollektorli (ikki kollektorli) injektordan ta’minlanadi.
Keltirilgan sxemadan
koʻrinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi oʻzgaruv-
chilarga nisbatan umumiy nuqtaga parallel ulansa, YOKI-EMAS
mantiqiy amal bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa HAM amali
bajariladi. Shuni ta’kidlash kerakki, invertorlarning ikkinchi kollek-
torlari
yordamida
qoʻshimcha kirish signallarini inkor etish mantiqiy
amalini (
____
___
2
,
1
X
X
) bajarish mumkin, bu esa
oʻz navbatida ME imkoni-
yatlarini kengaytiradi.
I
2
M sxemalar tezkorligi
injeksiya toki
I
I
ga kuchli
bogʻliq boʻlib, tok
ortgan sari ortadi. Bu vaqtda
A
QU
ozgina ortadi va
4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
Element qayta ulanishining
oʻrtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM
elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1–2
tartibga kichik
boʻladi. Mantiqiy oʻtish kichikligi tufayli I
2
M elementining
xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV)
boʻladi. Shuning
uchun bu
98
sxemalar faqat KIS va O‘KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega
mustaqil ISlar sifatida
qoʻllaniladi.
