normal tok rejimi
deb ataladi. Toklarning bu
oraligʻida kremniyli oʻtishda kuchlanish
U
atigi 0,70÷0,68 Vga
oʻzga-
radi. Tokning boshqa
I
=10
-5
÷10
-6
A diapazonida (bu diapazon
mikro-
rejim
deb ataladi) kuchlanishning qiymatlari mos ravishda 0,57÷0,52 V
oraliqda yotadi.
Shunday qilib, tok diapazonlariga
koʻra toʻgʻri kulchanishlar biroz
farqlanishi mumkin, lekin ularni doimiy deb hisoblash va
toʻgʻri oʻtish
parametrlari
deb qarash mumkin. Uning uchun maxsus
U
*
belgilash
kiritiladi. Xona temperaturasida normal rejimda
U
*
=0,7 V, mikrorejimda
esa
U
*
=0,5 V. Agar
toʻgʻri kuchlanish
U
*
kuchlanishdan atigi 0,1 Vga
kichik
boʻlsa,
oʻtish deyarli berk
hisoblanadi, chunki bu kuchlanishda
toklar nominaldan
oʻnlab marta kichik boʻladi.
Yuqori tezkorlikka erishish uchun TTM tranzistorlari normal tok
rejimida ishlaydilar. Shuning uchun sxemaning statik rejimini tahlil
qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
̶
p-n
oʻtish orqali toʻgʻri tok oqib oʻtayotgan boʻlsa, u holda,, oʻtish
ochiq va undagi kuchlanish
U
*
=0,7 V;
75
̶
p-n
oʻtish kuchlanishi teskari yoki
U
*
dan kichik
boʻlsa, u holda,,
oʻtish berk va oqib oʻtayotgan tok nolga teng;
̶ tranzistor toʻyinish rejimida boʻlsa, u holda,, kollektor-emitter
oraligʻidagi kuchlanish
U
*
KE.
TOʻY
=0,3 ÷ 0,4 V.
TTM elementning ish mexanizmini
koʻrib chiqamiz. Ulanish
sxemasiga binoan KET bazasining potensiali (B) doim uning kollektori
potensialidan yuqori
boʻladi. Demak, KET KOʻ doim toʻgʻri siljigan
boʻladi. Tranzistor EOʻlariga kelsak, ular emitter potensiallarining umu-
miy shinaga nisbatan ulanishiga
bogʻliq.
Deylik, barcha kirishlar (
X1
va
X2
) potensiallari kuchlanish
manbai potensialiga teng
boʻlgan maksimal qiymatga ega boʻlsin. Bunda
mantiqiy 1 sath shakllanadi, ya’ni
U
1
=
E
M
ekanligi ravshan. U holda, bar-
cha E
Oʻlar teskari yoʻnalishda ulangan boʻladi, chunki baza potensiali
(B)
R1
dagi kuchlanish pasayishi hisobiga doim emitter potensialidan
past
boʻladi. KET tarkibidagi parallel ishlayotgan tranzistorlar invers
ulangan
boʻladi. Aytib oʻtilganidek,
I
α
kichik
boʻlganligi sababli,
hisoblashlarda emitter tokini nolga teng deb olinadi,
I
0
tok esa ketma-
ket ulangan KETning kollektori va VT1 ning EO‘ orqali oqib
oʻtadi.
I
0
qiymati
R1
rezistor qarshiligi qiymati bilan cheklanadi va
1
/
)
2
(
*
0
R
U
E
I
M
−
=
. (2.13)
R1
shunday tanlanadi-ki, KET toki, demak, VT1 baza toki tran-
zistorni
toʻyinish shartiga mos kelsin. Bunda VT1 tranzistor ochiladi va
chiqish kuchlanishi
U
*
KE.
TOʻY
ga teng
boʻlib qoladi. Bu esa mantiqiy nol
sathga teng, ya’ni
U
0
=
U
*
KE.
TOʻY
≤ 0,4 V. Demak, barcha kirishlarga
mantiqiy 1 berilsa, chiqishda mantiqiy 0 hosil
boʻladi.
Endi aksincha holatni
koʻrib chiqamiz. Barcha kirishlar (
X1
va
X2
)
potensiali nolga teng yoki shu qiymatga yaqin
boʻlsin:
U
X
=
U
0
= 0. U
holda, barcha E
Oʻlar KOʻ kabi toʻgʻri yoʻnalishda siljigan boʻladi.
Barcha tranzistorlar
toʻyinish rejimiga oʻtadi. Bu holatda
I
0
tok ham
ochiq E
Oʻlaridan, ham KETning ochiq KOʻdan oqib oʻtishi mumkin.
Tok KET E
Oʻlardan oqib oʻtayotganda bu oʻtishlardagi kuchlanish +0,7
V ga teng
boʻladi. Parallel ulangan EOʻlarga ega KETni ikki barobar
katta hajmdagi yagona tranzistor deb qarash mumkin.
KET
KOʻdan oqib oʻtayotgan tok deyarli nolga teng, chunki unga
VT1 ning EO‘i ketma-ket ulangan. Tok bu zanjirdan oqib
oʻtishi uchun,
KET baza potensiali 2
U
*
=1,4 V ga teng
boʻlishi kerak. Demak, VT1
ochiq, emitter va kollektorning qoldiq toklarini nolga teng deb hisoblash
76
mumkin. Chiqish kuchlanishi esa
E
M
ga
yaqin
boʻladi, ya’ni mantiqiy 1
sathini
U
1
=
E
M
beradi. Bu vaqtda
I
0
quyidagicha aniqlanadi:
1
/
)
(
*
0
R
U
E
I
M
−
=
.
Agar faqat bitta kirishga mantiqiy 0, qolganlariga mantiqiy 1
berilsa, VT1 berk
boʻladi. Shunday qilib, biror kirishga mantiqiy 0
berilsa, chiqishda mantiqiy 1 olinar ekan. Faqat barcha kirishlarga
mantiqiy 1 berilsagina, chiqishda mantiqiy 0 ga ega
boʻlamiz. Shunday
qilib, mazkur sxema 2HAM-EMAS mantiqiy amalini bajaradi, bu yerda
2 raqami ME kirishlari sonini bildiradi.
Endi, uncha katta
boʻlmagan yuklama qobiliyatiga va nisbatan
kichik tezkorlikka ega
boʻlgan TTM negiz elementni koʻrib chiqamiz.
Bu quyidagilar bilan shartlangan. Ochiq holatda VT1ning
toʻyinish
rejimi ta’minlanishi uchun
R2
qarshilik qiymati
katta
(bir necha kOm)
boʻlishi kerak. U holda, tranzistorning berk holatdagi mantiqiy 1 sathi
yuklama qarshiligi
Z
Yu
ga kuchli ravishda
bogʻliq boʻlib qoladi.
Z
Yu
deganda mazkur ME chiqishiga ulangan
n
ta xuddi shunday ME larning
kompleks qarshiligi tushuniladi. Mantiqiy 0 holatida (VT1 tranzistor
ochiq) KET - VT1 tizimning tok uzatish koeffitsiyenti qiymati kichik
boʻlganligi sababli, chiqish kuchlanishi sathi ham yuklama qarshiligi
qiymatiga qaysidir ma’noda
bogʻliq boʻladi. Sababi, KET invers
ulanishida tok uzatish koeffitsiyenti
I
α
1 dan kichik
boʻladi. Aktiv
rejimda esa 1 ga yaqin. Shu sababli, bu turdagi ME yuklama qobiliyati
kichik hisoblanadi.
ME tezkorligi kirish va chiqish kuchlanishlari o‘sib borish va
kamayish frontlari tikligi bilan aniqlanadigan dinamik parametrlar bilan
belgilanadi. Har MEni
RC
tizim deb qarasak, u holda,, undagi
kuchlanish tikligini
oʻzgarishi asosan
sigʻim
S
Yu
ning zaryadlanish va
razryadlanish vaqti davomiyligi bilan aniqlanadi.
Yuklama
sigʻimi
S
Yu
p-
n
oʻtishlar, elektr bogʻlanishlar, chiqishlar va h.k.lar sigʻimlarining
umumiy
yigʻindisi. Demak, tezkorlikni tahlil qilganda ME chiqishiga
ulangan boshqa elementni
RC
– yuklama deb qarashimiz kerak.
Sxemada (4.1-rasm) ME kirishi mantiqiy 0 holatdan mantiqiy 1 holatga
oʻtayotganda VT1 tranzistor berkiladi. Shuning uchun yuklama sigʻimi
R2
rezistor orqali zaryadlanadi.
R2
ning
qiymati katta
boʻlganligi
sababli, zaryadlanish vaqti doimiysi
C
R
Z
⋅
=
2
τ
sezilarli
boʻladi. ME
chiqish sathi
U
0
boʻlganda
yuklama
sigʻimi toʻyingan VT1 tranzistor
orqali raz-ryadlanadi. Tok uzatish koeffitsiyenti
I
α
uncha katta
77
bo
ʻlmaganligi sababli, razryadlanish vaqti doimiysi
p
τ
ham kichik
qiymatga ega
boʻladi.
Koʻrib oʻtilgan kamchiliklar tufayli, 2.13-rasmda keltirilgan sxema
keng
qoʻllanilmaydi. Bu sxema asosan tashqi indikatsiya elementlarini
ulash uchun ochiq kollektorli mikrosxemalarda (2.14- rasm)
qoʻllaniladi.
|
