bazaning  toʻyinish toki




Download 6,22 Mb.
Pdf ko'rish
bet49/258
Sana17.05.2024
Hajmi6,22 Mb.
#239912
1   ...   45   46   47   48   49   50   51   52   ...   258
Bog'liq
elektronika

bazaning 
toʻyinish toki
deb ataluvchi 
I
B.
TOʻY
qiymatgacha 
oshirish kerak. Bu vaqtda unga mos keluvchi kollektor toki 
kollek-
torning 
toʻyinish toki
I
K.
TOʻY
, kuchlanish esa,
toʻyinish kuchlanishi
U
KE.
TOʻY
yoki 
qoldiq kuchlanish
К
Y
ТO
К
М
QOL
Y
ТO
КE
R
I
E
U
U
'
.
'
.

=
=
deb 
ataladi. Ma’lumki,
Y
ТO
B
Y
ТO
К
I
I
'
.
'
.
β
=

bu yerda,
E
h
21
=
β
– baza tokining integral uzatish koeffitsiyenti. 
Taxminan 
K
М
Y
ТO
К
R
Е
I
/
'
.

deb olish mumkin. U holda,,
K
М
Y
ТO
B
R
E
I
β
/
'
.


Baza toki 
I
B.
TOʻY
qiymatidan ortishi mumkin. Baza tokining bunday 
ortishini 
toʻyinish koeffitsiyenti
deb atash qabul qilingan. 
Y
ТO
B
B
Y
ТO
I
I
S
'
.
'
/
=

S
TOʻY 
ning ortishi 
U
CHIQ
ni kamayishiga olib keladi, ya’ni BT 
chiqish zanjirida sochilayotgan quvvat kamayadi. Ammo 
 
S
TOʻY 
ning 
keragidan ortiq ortishi BT kirish zanjirida sochilayotgan quvvatni sezi-
larli ortishiga olib keladi. Hisoblar 
S
TOʻY
= 1,5…2,0 qiymatlar optimal 
boʻlishini koʻrsatdi. 
Koʻrib oʻtilgan sodda kalit sxemasida BT ish rejimi bilan bogʻliq 
boʻlgan katta inersiyalikka ega. Tranzistor toʻyinish rejimiga oʻtayot-
ganda bazada 
koʻp sonli noasosiy zaryad tashuvchilarning toʻplanishi 
uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor 
toʻyinish rejimidan berk rejimga 
oʻtayotganda esa bu zaryad tashuvchilarning toʻplanishi va ayniqsa, 


68 
ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin kechadigan 
jarayon. 
Berilgan 
I
B.
TOʻY
qiymatida noasosiy zaryad tashuvchilarni bazadan 
chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit 
qoʻllaniladi. Unda tranzistor aktiv rejim bilan toʻyinish rejimi chega-
rasida ishlaydi (2.8-rasm). 
2.8-rasm. Shottki diodi bilan shuntlangan BTli kalit sxemasi. 
BTning 
toʻgʻri siljigan KOʻni shuntlovchi Shottki diodi yordamida 
nochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk 
boʻlganda, kollek-
torning potensiali bazaga nisbatan musbat 
boʻladi, demak, diod teskari 
ulangan 
boʻladi va kalit ishiga ta’sir koʻrsatmaydi. Kalit ulanganda 
kollektor potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan 
kirish tokining bir qismi oqib 
oʻtadi, ya’ni tranzistorning baza toki 
I
B.T
OʻY
qiymatiga tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan 
toʻyinish 
rejimi chegarasida ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar 
toʻplanishi sodir 
boʻlmaydi, Natijada, kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilarni 
bazadan chiqarib yuborish vaqti nolga teng 
boʻladi. Mos ravishda, kalit 
uzilishida ortiqcha zaryadlarni chiqarib yuborish bosqichi mavjud 
boʻlmaydi. 
Lekin bu holat ochiq dioddagi kuchlanish pasayishi ochiq 
KOʻdagi 
kuchlanish pasayishidan kichik 
boʻlgandagina haqiqiydir. Shuning 
uchun TA hosil qilish uchun Shottki diodi 
qoʻllaniladi. Shottki diodining 
ochiq holatdagi kuchlanish pasayishi 
U
DSH
= 0,3 V ga teng 
boʻlib, ochiq 
kremniyli 
oʻtishdagi kuchlanish pasayishi 
U
KB
 
= 0,7 V dan kichikdir. 


69 
Bundan tashqari
toʻgʻri kuchlanish 
U
KB
 
= 0,3 V ga teng 
boʻlganda 
tranzistor berk hisoblanganligi uchun, rezistor 
R
B
ga 
boʻlgan talab ham 
yoʻqoladi. 
TA zanjirida yagona texnologik bosqichda hosil qilingan kremniyli 
tranzistor va Shottki diodi kombinatsiyasi asosida yaratilgan 

Download 6,22 Mb.
1   ...   45   46   47   48   49   50   51   52   ...   258




Download 6,22 Mb.
Pdf ko'rish