11
Oʻzgarmas rezistorlar radioelektron apparat (REA)larni yigʻishda,
sozlashda
va ishlatish
da oʻz qarshiligini oʻzgartirmaydi, oʻzgaruvchi va
sozlanuvchi qarshilikli rezistorlarda esa mos ravishda maxsus moslama
(burama yoki chervyakli o
ʻqqa mahkamlangan kontakt surilgich)lari
bo
ʻladi.
Integral mikrosxema (IMS)lar rezistorlarini
yasashda uning
geometrik o
ʻlchamlarining kichikligi sababli moʻljallangan qarshilikni
olish imkoniyati
boʻlmaydi. Shuning uchun mexanik usullar bilan yoki
lazer nuri yordamida geometrik o
ʻlchamlarini
qisqartirib, rezistor
qarshiligi talab etilgan nominalga keltiriladi.
Yarim o
ʻtkazgichli integral sxemalarning barcha elementlari
(tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) kremniy, arsenid
galliyning p-n o
ʻtishlari bazasida epitaksiya va diffuziya usuli bilan
yaratiladi. Yarim o
ʻtkazgichli sxemalar rezistorlari baza sohasida hosil
qilinadi va ularning qarshiligi soha qarshiligi bilan belgilanadi va 25 Om
dan bir necha kiloomlargacha bo
ʻlgan oraliqda boʻladi.
Maxsus ishlarga mo
ʻljallangan yupqa
pardali mikrosxemalar
mikroelektron texnikada keng qo
ʻllanilmoqda. Ular asosida
yirik gibrid
integral sxemalar yaratilmoqda. Buning sababi shundaki, yupqa
pardali
texnologiya elementlarning nominal qiymati chegaralarini kengaytirish-
ga
va yanada yuqori aniqlikka, barqarorlikka va ishonchlilikka erishish-
ga imkon beradi.
1.3-rasm.
«Meandr» turidagi yupqa paradali rezistor geometriyasi:
l
OʻRT
va
b
– rezistorning
oʻrtacha
uzunligi va kengligi;
t, a, L
va
B
– meandrning odimi, zvenolari orasidagi masofa,
uzunligi va kengligi.
12
Yupqa pardali rezistorlar tasma yoki meandr shaklida (1.3-rasm)
bo
ʻlishi mumkin va yarim oʻtkazgichlarga nisbatan qator afzalliklarga
ega: ular barqarorroq (yo10
-4
·1/
0
C), juda aniq ishlaydi (yo5% gacha) va
nominal qarshilik diapazoni 100 kOm gacha bo
ʻlib, odatda,, 50 Om ÷ 50
kOm oraliqda chegaralangan.
