kollektor (
K ) deb ataladi. Uning vazifasi baza
sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalashdan iborat.
Emitter bilan baza orasidagi
p –
n o
ʻtish
emitter oʻtish (EO
ʻ), kollektor
bilan baza orasidagi
p –
n esa
oʻtish
kollektor oʻtish (KO
ʻ) deb ataladi.
Baza sohasi emitter va kollektor o
ʻtishlarning oʻzaro
ta’sirlashuvini ta’minlashi kerakligi sababli, BTning baza sohasi
kengligi
L B bazadagi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan
kichik (
p + –
n –
p BT
uchun
L B < n ,
n + –
p –
n BT uchun
L B < p )
boʻlmogʻi shart. Aks holda emittyerdan bazaga injeksiyalangan asosiy
zaryad tashuvchilar KO
ʻgacha yetib bormaydilar va BT samaradorligi
pasayadi. Odatda,, baza sohasi kengligi
L B ≈0,01÷1 mkm ni tashkil etadi.
Tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasiga ko
ʻra BTlar
eritib tayyorlangan ,
planar va
planar - epitaksial tranzistorlarga ajrati-
ladi. Qotishmali tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar taqsimlanishi
bir jinsli (tekis) bo
ʻlganligi sababli, unda elektr maydon hosil boʻlmaydi.
Shuning uchun EZNlar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga
ko
ʻchadilar.
Planar va planar – epitaksial tranzistorlarning baza sohasida
kiritmalar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo
ʻlib, u
kollektorga siljigan sari kamayib boradi. Bunday BTlar
dreyfli tranzistorlar deb ataladi. Kiritmalar konsentratsiyasi gradienti ichki
elektr maydon hosil bo
ʻlishiga olib keladi va EZNlar bazadan
kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga ko
ʻchadilar. Demak,
dreyfli BTlarning tezkorligi yuqori bo
ʻladi.
BTlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0÷10 GGs) va
quvvat bo
ʻyicha (0,01÷100 Vt) elektr signallarni oʻzgartuvchi, generator
va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi.
BTlar chastota
boʻyicha: past chastotali – 3 MGs gacha; oʻrta
chastotali 0,3 ÷ 30 MGs; yuqori chastotali 30 ÷ 300 MGs;
oʻta yuqori
chastotali – 300 MGs dan yuqori guruhlarga bo
ʻlinadi.
20
Quvvat bo
ʻyicha kam quvvatli – 0,3 Vt gacha; oʻrta quvvatli –
0,3 ÷ 1,5 Vt; katta quvvatli – 1,5 Vt dan yuqori guruhlarga ajratiladi.
Nanosekund diapazonida katta quvvatli impulslarni hosil qilishga
mo
ʻljallangan
