48
5.7 - rasm. Bipolyar tranzistorlarning klassifikatsiyasi va shartli
belgilanishi
5.8- rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) tipli bipolyar tranzistorlarning strukturasi
n-p-n
tipidagi tranzistorlarning ishlashini ko`rib chiqamiz (5.8-rasm): kollektor
va baza orasidagi musbat kuchlanish berilganda emitter toki I
e
nolga teng bo`lganda
I
ko
kollektorning o`tkazishi tomonidan asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilar
harakatidan hosil bo`lgan tok oqadi
(5.9-rasm).
Harorat oshganda asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilar
soni ortadi va I
ko
kollektor toki keskin oshib ketadi.
Emitterni manbadagi manfiy qismga ulaganda I
e
emitter toki paydo bo`ladi.
Tashqi kuchlanish emitter o`tishiga to`g‘ri yo`nalishda berilganligi uchun
elektronlar
n-
o`tish tomonidan o`tib bazaga keladi. Baza p -yarim o`tkazgichdan
tayyorlangan shuning uchun elektronlar u yerda asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchi
hisoblanadi.
49
5.9-rasm. n-p-n tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo`yicha ulanishi
Bazaga tushgan elektronlarning bir qismgina
baza kovaklari bilan
rekombinatsiyalanadi, chunki bu yerda baza katta nisbiy qarshilikka ega bo`lgan
yupqa p-tipidagi yarim o`tkazgichdan tayyorlanganligi sababli kovaklar
konsentratsiyasi kichik. Elektronlarning ko`p qismi esa issiqlik harakati (diffuziya)
va kollektor maydoni ta‘sirida (dreyf) kollektor tokining asosiy I
k
tashkil etib,
kollektorga yetib boradi. Emitter va kollektor orasidagi
toklar orttirmasining
bog‘liqligi tok o`tkazish koeffitsiyentini harakterlaydi.
.
const
кб
U
э
I
k
I
const
кб
U
э
I
к
I
( 5.2)
Tok o`tkazish koeffitsiyenti doim 1 dan kichik bo`ladi. Zamonaviy bipolyar
tranzistorlarda
э
k
k
I
I
I
0
(5.3)
Yuqorida ko`rib chiqilgan sxema baza, emitter va
kollektor zanjirlari uchun
umumiy hisoblanadi. Bunday sxemada bipolyar tranzistor ulanishini umumiy bazali
sxemasi deyiladi. Bunda emitter zanjiri kirish, kollektor
zanjiri esa chiqish zanjiri
deyiladi.
Yuqoridagi ulanish sxemasi juda kam qo`llaniladi. Ko`proq esa kirish va
chiqish zanjiriga umumiy elektrod bo`lib, emitter hisoblangan sxema, ya‘ni
umumiy emitterning sxemasi qo`llaniladi.
50
5.10 - rasm. Bipolyar tranzistorning VAT lari
Bunday sxema uchun kirish konturi baza emitteri orqali o`tadi
va unda baza
toki paydo bo`ladi.
0
)
1
(
k
Э
k
э
Б
I
I
I
I
I
k
э
I
I
(5.4)
