O’zbekiston Respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi Jizzax politexnika instituti Elektronika va asbobsozlik yo’nalishi

3-tajriba ishi.

YArim utkazgichli materiallarning elektr
o’tkazuvchanligini tashqi ta’sirlarga boglikligini
o’rganish. 
YArim o‘tkazgichlar sinfiga absolyut nol temperaturada elektr o‘tkazuvchanligi nolga teng
bo‘lgan va temperatura ortishi bilan bu ko‘rsatgich ortib boradigan qattiq kristall moddalar
kiradi. Elektr o‘tkazuvchanlik – bu moddaning tok o‘tkazish xossasi, solishtirma elektr
o‘tkazuvchanlik

esa, moddaning elektr o‘tkazuvchanligini son jihatdan xarakterlaydigan
kattalik hisoblanadi. Solishtirma qarshilik – bu solishtirma elektr o‘tkazuvchanlikka teskari
bo‘lgan kattalik hisoblanadi


1

.
Berilgan materialdan tayyorlangan ixtiyoriy o‘lchamdagi o‘zakning qarshiligi quyidagi
formuladan aniqlanadi:
S
l
R


, (4.1)
bu erda l – o‘zak uzunligi (m); S – o‘zakning ko‘ndalang kesimi (m
2
).

kattaligi erkin zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi va ularning harakatchanligiga bog‘liq.


nq

, (4.2)
bu erda n – zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi; q – tashuvchi zaryadi;

- uning
harakatchanligi.
Zaryad tashuvchining harakatchanligi deb, kuchlanganlik 1 ga teng bo‘lgan elektr
maydondagi uning harakat tezligi tushuniladi.






В
сек
см
E
v

, (4.3)
bu erda v – elektr kuchlanganligi E bo‘lgan elektr maydondagi zaryad tashuvchi tezligi.
Agar yarim o‘tkazgich tarkibida 10
-9
% kam kiritma bo‘lsa, u xususiy yarim o‘tkazgich deb
ataladi. Xususiy yarim o‘tkazgichdagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi temperaturaga va
ta’qiqlangan zona kengligiga bog‘liq bo‘ladi, eksponensial qonunga bo‘ysunadi:
КТ
W
i
i
ЗЗ
Ae
p
n
2




, (4.4)
bu erda A –proporsionallik koeffitsienti,
ЗЗ
W

- berilgan yarim o‘tkazgich ta’qiqlangan zona
kengligi, K –Bolsman doimiysi; T – absolyut temperatura.
Zaryad tashuvchilar harakatchanligi absolyut temperatura kvadrat ildiziga teskari nisbatda
ortib boradi
T
B


, (4.5)
bu erda V –proporsionallik koeffitsienti.
Odatda, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi, ularning harakatchanligi kamayishiga nisbatan
tez ortadi. SHu sababli, ular manfiy qarshilikning temperatura koeffitsientiga egadirlar (QTK).
QTK – bu 1
0
Sda qarshilikning nisbatan ortishi.
(4.1) va (4.4) ifodalardan ko‘rinib turibdiki, xususiy yarim o‘tkazgichlarning qarshiligi
temperaturaga kuchli ravishda bog‘liq bo‘ladi. Termistor deb ataluvchi yarim o‘tkazgich

asboblarning ishlash prinsipi shu xossaga asoslangan. Termistor (termorezistor) – bu nochiziqli

rezistor bo‘lib, uning qarshiligi kuchli ravishda temperaturaga bog‘liq.
4.1- rasmda termorezistor qarshiligini temperaturga bog‘liqligi va uning shartli belgilanishi
ko‘rsatilgan. Termorezistorlar oksid va karbidlardan tayyorlanadi.
4.1.- rasm. Termorezistor qarshiligini temperaturga bog‘liqligi
va uning shartli belgilanishi
Ko‘p yarim o‘tkazgichlarda kvant nuri ta’sirida valent zonadan ta’qiqlangan zonani engib
o‘tib, elektron – kovak juftligi yuzaga keladi. Fotoqarshilikning (fotorezistor) ishlash prinsipi shu
xossaga asoslangan.
Agar yorug‘lik bo‘lmasa, fotorezistor juda katta qorong‘ulik qarshiligiga R
Q
=10
4
-10
7
Om ega
bo‘ladi. Fotorezistor sifatida turli karbidlar qo‘llaniladi.

Download 81,03 Kb.