|
K r e m n i y k a r b i d i (SiC) –
|
| bet | 10/20 | | Sana | 15.07.2024 | | Hajmi | 2,12 Mb. | | #267675 |
Bog'liq mustaqil ish (no41)K r e m n i y k a r b i d i (SiC) – tok kuchi va kuchlanish o‘rtasida chiziqli bo‘lmagan bog‘liqlik yaqqol kuzatiladigan polikristall tuzilishli mort material hisoblanadi. Kremniy karbidi kremniy va uglerodning ximiyaviy qoshilishi hisobiga hosil boladi.
Kremniy karbidini olishda xom ashyo vazifasini toza kvartsli qum va toshli komir otaydi. U yoki bu tipdagi aralashmali elektr otkazuvchanlikka ega bolish uchun, asosiy tarkibga aralashmalar, jumladan fosfor, surma, vismut yoki kalsiy, magniy, alyuminiy va boshqalar qoshiladi. Karbidni hosil qilish reaksiyasi ≈2000°C da amalga oshiriladi.
Fosfor, surma yoki vismut bilan legirlangan kremniy karbidi to‘q yashil rangda bo‘ladi va p – tipdagi elektr o‘tkazuvchanlikka, kalsiy, alyuminiy yoki bor bilan legirlanganda esa to‘q binafsha rangda bo‘lib, n– tipdagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Kremniy karbidining asosiy xarakteristikalari quyidagicha buladi. (20°C havo sharoitida): zichligi 3200 kg/m3; ρ=104÷107 Om·sm; ε=6,5÷7,5. Uning solishtirma qarshiligi tarkibiga kuchli darajada bog‘liq. Kremniy karbidi aralashmali yarim otkazgich hisoblanadi, lekin 1400°C haroratda unda xususiy elektr otkazuvchanlik namoyon boladi. Erish harorati 2600°C ga teng. Kremniy karbidning toza navlaridan 50 dan to + 80°C harorat intervallarida ishlay oladigan, chiziqli bolmagan simmetrik volt-amper xarakteristikasiga ega bolgan varistorlar ishlab chiqarishda keng foydalaniladi. Varistorlar avtomatik tarzda togrilaydigan (regulirovka qiladigan) qurilmalarda ishlatiladi.
Polikristall kremniy karbididan inert gazda haydash yoli bilan ximiyaviy jihatdan tozaligi bilan ajralib turuvchi monokristalli kremniy karbidi olinadi. Undan 500°C gacha bolgan haroratlarda ham ishlay oladigan diod va tranzistorlar, shu bilan birgalikda svetodiodlar ishlab chiqarishda keng foydalaniladi.
G a l l i y a r s e n i d i (GaAs) margimush va galliyni qoshilishidan hosil boladi va monokristalli yarim otkazgich hisoblanadi. Yuqori darajada elektron va teshiklarning xarakatchan bolishi galliy arsenidining xarakterli xususiyati hisoblanadi. Uning bu xususiyatidan katta chastota va yuqori haroratlarda ishlay oladigan galliy arsenidi asosida tayyorlangan priborlarni yaratish imkonini beradi. n-p-otish uchun ishchi harorat 300400°C gacha ruxsat berilgan, yani bu germaniy va kremniy asosida tayyorlangan yarim utkazgichlarnikidan yuqori qiymatlarda boladi. Shu bilan birgalikda galliy arsenididan yarim otkazgichli mikrosxemalarning asosini tayyorlash maqsadida ham foydalaniladi.
20°C haroratda galliy arsenidining asosiy xarakteristikalari quyidagiga teng: zichligi 5400 kg/m3; ρ=104÷109 Om·sm; ε=11,2. Erish harorati 1237°C.
Namlik va radiatsion nurlanishlar ko‘rinishidagi tashqi ta’sirlar kuchli darajada yarim o‘tkazgichli elementlarni xarakteristikalarini pasaytiradi, shuning uchun tashqi tasirdan himoyalanish maqsadida ularni germetik (metall, keramik yoki plastmassali) korpuslarga joylashtiriladi.
|
| |
