117
nundan, işçi materialda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların konsentra-
siyasından, yüyürüklüyündən, yaşama müddətindən,
diffuziya
uzunluğundan, həmin materialın təmizlik və bircinslik
dərəcəsindən, fotokeçiriciliyinin spektral paylanmasından, ayrı-
ayrı fiziki parametrlərinin radiasiyaya qarşı davamlılığından,
elektrik və maqnit sahəsindən asılılığından effektiv şüalanma
enerjisinin qiymətindən və s. asılıdır. Aşqar keçiriciliyi aşağı
temperatur diapazonunda üstün rol oynadığından, yüksək tem-
peraturlarda p-n keçidli cihazların (diod,
tranzistor, tiristor və
s.) normal işi pozulur. Yarımkeçirici cihazların maksimal işçi
temperaturu işçi materialın qadağan olunmuş zonasının eni, və
ya aşqar səviyyələrin enerji dərinliyi ilə təyin olunur. Hal-
hazırda müasir texnologiyaların köməyilə yarımkeçirici cihaz-
ların işçi temperaturunu 500ºS-ə qədər yüksəltmək olur. Bipol-
yar tranzistorların tezlik xarakteristikası, ilk növbədə, sərbəst
elektron və deşiklərin baza oblastındakı yüyürüklüyünün
qiyməti ilə müəyyən olunur və yüyürüklük böyük olanda tran-
zistorun maksimal generasiya tezliyi də böyük olur.
Bipolyar
tranzistorları hazırlamaq üçün qeyri-əsas yükdaşıyıcıların dif-
fuziya uzunluğunun (L0) optimal qiymətə malik olduğu
yarımkeçirici materiallardan istifadə etmək lazımdır və L1
tranzistorun baza oblastının qalınlığından böyük olmalıdır.
Tranzistorlardan impuls sxemlərində istifadə edildikdə injeksi-
ya olunmuş yükdaşıyıcıların sorulma müddətini minimuma
endirmək üçün, işçi materialda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların
yaşama müddətini kiçiltmək lazımdır. Bu isə, öz növbəsində,
həmin yarımkeçirici materialda diffuziya uzunluğunun kiçik
qiymətə malik olmasına səbəb olur. Yarımkeçiricilər elektroni-
kasının əsas məsələlərindən biri,
tranzistorun kollektor
keçidinin və diodun
p-n
keçidinin deşilmə gərginliyinin böyük
118
olmasıdır. Bu isə, öz növbəsində, cərəyan sıxlığının
p-n
keçidinin hər yerində eyni olmasını tələb edir. Yarımkeçirici
materiallarda makroqeyribircinsliyin və defektlərin mövcud-
luğu keçidin deşilmə gərginliyinin kiçilməsinə səbəb olur.
Yarımkeçiricilərdə elektrik cərəyanı metallarda olduğu
kimi, yükdaşıyıcıların hərəkəti (dreyf) ilə əlaqədardır. Lakin
metallarda sərbəst elektronların olması metal rabitəsinin təbiəti
ilə
əlaqədardırsa,
yarımkeçiricilərdə
yükdaşıyıcıların
yaranması bir sıra amillərə, başlıcası isə materialın kimyəvi
təmizliyi və temperaturu ilə əlaqədardır. Təmizlik
dərəcəsindən asılı olaraq yarımkeçiricilər məxsusi və aşqarlı
yarımkeçiricilərə bölünür.
