|
Tranzistorlarning ulanish sxemasidagi asosiy ko‘rsatkichlari
|
| bet | 4/8 | | Sana | 09.02.2024 | | Hajmi | 1,56 Mb. | | #153796 |
Bog'liq Bipolar tranzistorlar Tranzistorlarning ulanish sxemasidagi asosiy ko‘rsatkichlari
Ulanish sxemasi
|
Um emitter
|
Um baza
|
Um kollektor
|
Kirish qarshiligi
|
200–2000 Ω
|
30–1500 Ω
|
0,2–1 m Ω
|
Chiqish qarshiligi
|
10–100 k Ω
|
0,5–2 m Ω
|
50–500 Ω
|
Tokni kuchaytirishi
|
*200
|
*1
|
*200
|
Kuchlanishni kuchaytirishi
|
*100
|
*1000
|
*1
|
Quvvatni kuchaytirishi
|
*1000
|
*100
|
*10
|
Ishlatish foydalanish o‘rinlari
|
Universal kuchaytirgich, faza inventor
|
Yuqori chastotali kuchaytirgich
|
Moslashtirish kaskadi
|
Kirish va chiqish signallari
|
Kirish fazasi chiqish teskari
|
Kirish fazasi chiqish to‘g‘ri
|
Kirish fazasi chiqish to‘g‘ri
|
Tranzistorlarning prinsipial elektr sxemada chizilish tartibi
Tranzistorning prinsipial elektr sxemada chizilish tartibi
1 2
3 4
5 6
Tranzistorlarni montajga tayyorlash tartibi
Tranzistorlarni montajga tayyorlash va kavsharlashda kichik hajmli tranzistorlarni bosma platalarga o‘rnatishda oyoqchalari bosma platadan 2 mm chiqishi kifoya qiladi, katta hajmli tranzistorlarning oyoqchalari esa 3 mm ni tashkil qiladi.
6.3. Tranzistorlarni HC260 multi-testerda tekshirish uslublari
2
3
4
6.4. Sxema sharhini ta’riflash uchun, o‘qilish tartibini o‘rganish
Umumiy emitterli ulanish sxemasining tahlili
1-sxema.
Tranzistorning nomi: N-P-N tipidagi bipolar transistor.
Kuchaytirgichning nomi: bir kaskadli operadik kuchaytirgich.
Signalning o‘tishi: signal ajratuvchi kondensator C1 orqali VT1 tranzistorning bazasiga uzatiladi va uni ochadi.
Tranzistor bazasining oziqlanishi: + R1 tranzistorning bazasi R2-
Kuchaytirgichning oziqlanishi: + R3, tranzistorning kollektor, emitteri R4-
Kuchaytirgich yuklamasi: R3
Tranzistorning ulanish sxemasi: umumiy emitter sxemasi bo‘yicha yig‘ilgan.
|
| |
