Sxemada absolyut qiymatlari teng +
E
M
va - E
M
ikki qutbli kuchlanish
manbalari ishlatilgan. Sokinlik rejimida EO‘larda kuchlanish nolga teng bo‘lgani
uchun ikkala tranzistor berk bo‘lib, kuchlanish manbaidan energiya sarflanmaydi.
Kirishga
U
KIR
ning musbat yarim davri berilganda VT1 tranzistor ochiladi va
yuklama orqali
I
E1
tok oqib o‘tadi. Manfiy yarim davrda VT2 tranzistor ochiladi va
I
E2
tok yuklamadan qarshi yo‘nalishda oqib o‘tadi. Quvvat kuchaytirilishi faqat tok
kuchaytirilishi hisobiga amalga oshib, emitter va baza toklari nisbatiga teng, ya’ni
β+1 bo‘ladi. Kuchaytirgichning maksimal FIK
η= 78,5 % ni tashkil etadi.
Afsuski, V sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega. Buzilishlar hosil
bo‘lishiga tranzistor kirish VAX boshlang‘ich sohasining nochiziqligi sababdir.
Kuchaytirgich uzatish xarakteristikasidagi chiqish signali shaklini ko‘rib chiqamiz (6.5-
rasm). Ko‘rinib turibdiki, signalning shtrixlangan sohalari kuchaytirilmaydi, ya’ni signal
shakli buziladi. Bunday buzilishlar, ayniqsa, kirish signali amplitudasi
U
*
kuchlanishga
yaqin (
U
KIR
≤ 0,7 V), ya’ni tranzistorlar amalda berk bo‘lganda sezilarli bo‘ladi.