• A va M empirik koeffitsiyenti, T - absolyut harorat. a) b) L i i
  • -rasm. a) yarimo ‘ikazgichli diod modeli, b) volt-amper




    Download 3,32 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet45/57
    Sana16.12.2023
    Hajmi3,32 Mb.
    #120789
    1   ...   41   42   43   44   45   46   47   48   ...   57
    Bog'liq
    Radioelektron apparatlarni loyihalash va modellashtirish asoslari

    5-rasm. a) yarimo ‘ikazgichli diod modeli, b) volt-amper 
    xarakteristikasi, d) diskret diodning global modeli, e) integral 
    diodning variantlari.
    Modelda Cg - o ‘tishdagi to ‘siqlik va diffuzion 
    sig‘imlar yig‘in- 
    disi;, Rg - oqimdagi qarshilik, r - bazaning 
    hajmli qarshiligi, Ig -  
    o'tishdagi kuchlanish bilan boshqariladigan tok 
    manbasi. Bu tok 
    quyidagi qonunga bo‘ysunadi:
    Bu yerda I0 -
    o ‘tishdagi to ‘yingan tok, 
    A va M empirik 
    koeffitsiyenti, 
    T - absolyut harorat.
    a)
    b)
    L
    i
    i, = л /0[ехр(ирТ /М )- 1.
    101


    5.3. Integral sxemalarning elektrik modellari
    Tarkibiga bir necha o ‘n, hatto yuzlab integral sxemalami (IS) 
    kirituvchi radioelektron qurilmalarning integral sxemalarini model- 
    lashtirish masalasi, o ‘lchamining kattaligi tufayli murakkab masala 
    hisoblanadi.
    IS lami oddiy komponentlarga ajratib, ulaming elektrik model- 
    laridan IS va radioelektron qurilmaning to ‘liq modelini yaratish 
    mumkin. 0 ‘rta va yuqori integral darajaga ega IS larning 
    modellarini yuqorida ko‘rsatib o ‘tilgan yo‘l bilan hosil qilishda juda 
    katta hisoblashlami amalga oshirish kerak bo‘ladi, chunki bunday 
    sxemalar matematik modellarining tenglamalar sistemalari yuqori 
    darajali hisoblanadi. Undan tashqari sxemadagi alohida kompo- 
    nentlaming elektrik modellaridagi nominallarini aniqlash ham 
    murakkablashib ketadi. Shuning uchun radioelektron qurilmalar IS 
    larini modellashtirishda real qurilma kabi tashqi xarakteristikalarga 
    ega bo‘lgan makromodellardan foydalaniladi.
    IS lar elektrik makromodellarini yaratish imkoniyatlaridan biri 
    bo‘lib, birinchi bosqichda radioelektron qurilmaning tarkibidagi IS 
    ning xususiyatini tasvirlovchi, kamroq aniqlikdagi 
    mahaliiy 
    makromodelini yaratish hisoblanadi. Ikkinchi bosqichda modelga 
    real IS ning ideal bo‘lmagan xarakteristikalarini modellashtirilgan 
    elementlari qo‘shiladi: oxirgi kirishdagi va chiqishdagi qarshiliklar, 
    xarakteristikalarning 
    chastotaga 
    bogiiqligi, 
    ushlanishlar ^ va 
    boshqalar. M akromodellami bunday yaratishning afzalligi bo‘lib, 
    modelda har bir baza elementining fizik m a’nosi ko‘rsatiladi. Kam- 
    chiligi bo‘lib esa, modellashtirishdagi bunday qarashni shakllan- 
    tirilmaganligi, baza elementlarining nominallarini o ‘lchashlar orqali 
    aniqlash kerakligi hisoblanadi.

    Download 3,32 Mb.
    1   ...   41   42   43   44   45   46   47   48   ...   57




    Download 3,32 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    -rasm. a) yarimo ‘ikazgichli diod modeli, b) volt-amper

    Download 3,32 Mb.
    Pdf ko'rish