Raqamli texnikaga kirish va avtomatika

47 
Shuni hisobiga yarim o`tkazgichda izolyasiyalangan elektrod kuchla-
nishni o`zgartirib, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo`lgan qatlam 
– kanal hosil qilib uni karshiligini boshqarish mumkin.
MDYA–tranzistorlar texnologik tayyorlanishi bo`yicha ikki turga 
bulinadi: kanali kiritilgan MDYA-tranzistor (4.4 -rasm) va induksion kanalli 
MDYA-tranzistor (4.5 -rasm). Birinchi tranzistorda zatvor va istokka etarli 
kuchlanishda kanal stok va istok oralig‘i induksiyalanadi. Agarda zatvor va 
istok oralig‘ida potensial farq nol bo`lsa, istok va stok oralig‘ida tok umuman 
bo`lmaydi. Kanalli kiritilgan MDYA-tranzistorlarida kanal texnologik usulda 
vujudga keltiriladi. Bunda zatvor va istok kuchlanishi bo`lmaganda ham 
kanal o`tkazuvchanligi nolga teng emas. Shuning uchun zatvor kuchlanishini 
o`zgartirib, o`tkazuvchanlikni ortirish va kamaytirish mumkin.
Barcha turdagi maydon tranzistorlarda taglik yarim o`tkazgichning p - yoki n- 
turi ishlatiladi. Shuning uchun ham maydon tranzistorlari n va p- turlari bilan 
farqlanadi. Hozirgi paytda maydon tranzistorlarini 6 xili qo`llaniladi.
Maydon tranzistorlarining to`la ishlashi chiqish statik volt-amper 
xarakteristikalar oyilasi U
z

const bo`lganda I
c


(U
c
) bilan xarakterlanadi 
(4.7 -rasm). Deylik, zatvor kuchlanishi U
z

U
z1

const bo`lsin. Unda istok 
va stok kuchlanishi U
s
o`zgarishida (U
z1
qiymati va U
s
ni qutb kuchlanishi 
to`g‘ri tanlansa) maydon tranzistorida I
c
tok paydo bo`ladi. U
s
kuchlanishni 
ortishi natijasida xarakteristikaning boshlang‘ich qismida I
c
tok chiziqli 
o`sadi. Keyin kuchlanish U
s
ortishi bilan I
c
o`sishi to`xtaydi. Bunga asosiy 
sabab, uzunlik bo`yicha kanal kengligi birxil emas: stokka yaqinlashgan sari 
kanal yupqalashib boradi.
Bu qismlardagi stok tokini zatvorga berilayotgan kuchlanish orqali 
boshqarish mumkin.  
Shuni hisobiga yarim o`tkazgichda izaliotsion elektrodda kuchlanishni 
o`zgartirib, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo`lgan qatlam – 
kanal hosil qilib uni qarshiligini boshqarish mumkin.
MDYa–tranzistorlar texnologik tayyorlanishi bo`yicha ikki turga bo`linadi: 
kanali kiritilgan MDYa-tranzistor (4.5 -rasm) va induksion kanalli MDYa-
tranzistor (4.6-rasm). Birinchi tranzistorda zatvor va istokka yetarli kuchlanishda 
kanal stok va istok oralig‘i induksiyalanadi. Agarda zatvor va istok oralig‘ida 
potensial farq nol bo`lsa, istok va stok oraligi‘da tok umuman bo`lmaydi. Kanalli 
kiritilgan MDYa-tranzistorlarida kanal texnologik usulda vujudga keltiriladi. 
Bunda zatvor va istok kuchlanishi bo`lmaganda ham kanal o`tkazuvchanligi 
nolga teng emas. Shuning uchun zatvor kuchlanishini o`zgartirib, 
o`tkazuvchanlikni ortirish va kamaytirish mumkin.
Barcha turdagi maydon tranzistorlarda taglik yarim o`tkazgichning p - 

48 
yoki n- turi ishlatiladi. Shuning uchun ham maydon tranzistorlari n- va p- 
turlari bilan farqlanadi. Hozirgi paytda maydon tranzistorlarini 6 xili 
qo`llaniladi.
Maydon tranzistorlarining to`la ishlashi chiqish statik volt-amper 
xarakteristikalar oyilasi U
z

const bo`lganda I
c


(U
c
) bilan xarakterlanadi 
(4.6 -rasm). Deylik, zatvor kuchlanishi U
z

U
z1

const bo`lsin. Unda istok 
va stok kuchlanishi U
c
o`zgarishida ( U
z1
qiymati va U
c 
ni qutb kuchlanishi 
to`g‘ri tanlansa) maydon tranzistorida I
c
tok paydo bo`ladi. U
s
kuchlanishni 
ortishi natijasida xarakteristikaning boshlang‘ich qismida I
c
tok chiziqli 
o`sadi. Keyin kuchlanish U
C
ortishi bilan I
c
o`sishi to`xtaydi. Bunga asosiy 
sabab, uzunlik bo`yicha kanal kengligi birxil emas: stokka yaqinlashgan sari 
kanal yupqalashib boradi.
Bu qismlardagi stok tokini zatvorga berilayotgan kuchlanish orqali 
boshqarish mumkin.
 
4.6 - rasm. Maydon tranzistorlarining chiqish
(a) va kirish (b)statik xarakteristikalari 
Maydon tranzistorlarining sifat parametrlariga: S xarakteristik tikligi, 

kuchaytirish koeffitsienti va R
i
ichki qarshiligi kiradi.
Maydon tranzistorining S xarakteristik tikligi deganda, U
ci

const 
bo`lganda stok toki o`zgarishini zatvor kuchlanishi o`zgarishiga nisbati 
tushuniladi: 
C
зи
I
S
U



Maydon tranzistorining 

kuchaytirish koeffitsienti deb, I
c

const 
bo`lganda, stok kuchlanishini zatvor kuchlanishi o`zgarishiga nisbatiga 
aytiladi:

49 
си
зи
U
U




Maydon tranzistorining R
i
ichki qarshiligi deb, U
zi

const bo`lganda, 
stok kuchlanishini o`zgarishini unga to`g‘ri keluvchi stok tokini o`zgarishiga 
nisbatiga aytiladi: 
зи
i
C
U
R
I



Maydon tranzistorining yuqoridagi parametrlari quyidagicha ham 
bog‘langan: 
i
SR


Maydon tranzistorlarining ishchi sohasida, S 

0,3–3 mA

V, R
i
ichki 
qarshiligi bir necha megaomni tashkil qiladi.
Maydon tranzistorlarning zaruriy xususiyatlariga ularning kirish 
qarshiligini (10
15
Om gacha) va chegara chastotasini (1 GGs gacha) juda 
yuqoriligidir. Maydon tranzistorlarini, ayniqsa MDYa-tranzistorlarini 
integral mikrosxemalarda qo`llanilmoqda.
Tranzistorlarni tamg‘alash. Tranzistorlarni belgillash 6 ta elementdan 
tashkil topadi.
Birinchi element : G yoki 1–germaniy, K yoki 2-kremniy, A yoki 3- 
galliy arsenidi.
Ikkinchi element: T-qo`sh qutbli tranzistorlar, P- maydon tranzistorlar.
Uchinchi, to`rtichi va beshinchi elementlar-uch belgili son, birinchi 
raqam ishchi chastota diapazonni va quvvatini, qolgan ikkitasi raqamlar esa, 
01 dan to 99 gacha asbobning ishlab chiqarish texnologik tartib nomeri.
Oltinchi element – A dan to Ya gacha- bir turdagi asbobning parametrik 
guruhi.

Download 2,28 Mb.