|
Microsoft Word II -an imp.+
|
| bet | 71/142 | | Sana | 27.05.2024 | | Hajmi | 3,55 Mb. | | #255298 |
Bog'liq Microsoft Word II -anSahə tranzistoru əsasında açar sxemi. MDY tranzistorlarda yaradılan açar sxemlərində dinamiki yük elementi kimi MDY tranzistorlardan istifadə edilir. Belə açar sxemi şəkil 5.10,a-da göstərilmişdir.
Burada VT tranzistoru aktiv element, VTy isə dinamiki yük rolunu oynayır. VTyük -nin stok (mənsəb) və zatvoruna (rəzəsinə) eyni gərginlik
verildiyindən, o, özünü qeyri-xətti element kimi aparır. Əgər giriş gərginliyi Ugir Uhədd olarsa, onda VT bağlanır. Bu halda Uçıx.maks=U1=E - Uhədd olur. Giriş gərginliyi Uhədd hədd gərginliyindən böyük olduqda VT açılır, stok
cərəyanı axmağa başlayır, çıxış gərginliyi azalır. Bu halda VTyük tranzistorunda gərginlik artır və o açılmağa başlayır. Aydındır ki, bu vəziyyətdə kiçik çıxış gərginliyini o zaman əldə etmək olar ki, açıq VT tranzistorunun statik müqaviməti açıq VTyük tranzistorunun statik müqavimətindən kifayət qədər az olsun. Bu, açar sxemində kifayət qədər fərqlənən tranzistorlardan istifadə etməklə əldə oluna bilər. Aktiv tranzistorlar enli və qısa kanala, yük tranzistoru isə dar və uzun kanala malik olmalıdırlar.
Şəkil 5.10,b - də komplementar MDY tranzistorlarda yaradılan açar sxemi göstərilmişdir. Bu sxemdə iki açar elementindən istifadə edilir. Bunlardan biri n- kanallı VTn, digəri isə p-kanallı VTp tranzistorudur. VTn-nin altlığı ən az potensiala (-E), VTp tranzistorunun altlığı isə ən böyük potensiala (+E) malik olur. Odur ki, p-n keçidləri bağlı, MDY strukturun kanalları izolə edilmiş olurlar.
çıx
Bu sxemin xüsusiyyəti ondan ibarətdir ki, giriş siqnalı ilə hər iki tranzistor idarə olunur. Aşağı giriş gərginliyində VTn bağlı, VTp isə açıqdır. Çıxış gərginliyi böyükdür və Uçıx.maks = U 1 =E olur. Giriş gərginliyinin böyük qiymətində isə VTn açıq, VTp bağlı olur. Bu halda çıxış gərginliyi kiçikdir və
Uçıx.min=U0min 0. Göründüyü kimi, hər iki halda tranzistorlardan biri bağlıdır
və çox az enerji sərf edir. Bu enerji əsasən parazit tutumların dolub-boşalmasına sərf olunur.
b)
Şək. 5.10. MDY tranzistorlarda açar sxemləri
|
| |
