rasmda
keltirilgan
ulanish
sxemalari
aktiv
rejimga
mos.
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib
U
KB
= const bo‘lgandagi
I
E
= f (U
EB
) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa
U
KE
= const bo‘lgandagi
I
B
=f(U
BE
)
bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining
umumiy xarakteri odatda
to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan
p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga
ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (3.4- rasm).
Kollektor o‘tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish
xarakteristika
chapga,
UE
sxemada
esa
o‘ngga
siljiydi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‘lib
I
E
=const
bo‘lgandagi
I
K
= f (U
KB
) bog‘liqlik, UE sxemada esa
I
B
=const bo‘lgandagi
I
K
= f
(U
KE
)
bog‘liqlik
hisoblanadi
(3.4
a-rasm).
Chiqish xarakteristikalari ko‘rinishiga ko‘ra teskari ulangan diod VAX siga
o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda
kollektor o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish
xarakteristikasi UB sxemada
ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega (3.5
b
-
rasm).
BTning ishlashi uch hodisa hisobiga amalga oshadi:
•
emitterdan asosiy zaryad tashuvchilarning bazaga injeksiyalanishi;
•
bazaga injeksiyalangan EZTlarning diffuziya va dreyf hisobiga KO‘gacha
etib kelishi;
•
bazaga injeksiyalangan va KO‘gacha etib kelgan noasosiy zaryad
tashuvchilarning ekstraksiyalanishi.
EO‘ to‘g‘ri siljitilganda (
U
EB
ta’minot manbasi hisobiga amalga oshiriladi) uning
potensial bareri pasayadi va elektronlar emitterdan bazaga injeksiyalanadi.
Elektronlarning emitterdan bazaga hamda kovaklarning bazadan emitterga
injeksiyalanishi
hisobiga
emitter
toki
I
E
hosil
bo‘ladi:
,
bu erda
I
En
, I
Er
– mos ravishda elektronlar va kovaklar injeksiya toklari.
Emitter tokining
I
Er
tashkil etuvchisi kollektor orqali oqmaydi va shuning uchun
foydasiz tok hisoblanadi.
I
Er
qiymatini kamaytirish
uchun bazadagi akseptor
kiritmalar
konsentratsiyasi
qiymati
emitterdagi
donor
kiritmalar
konsentratsiyasiga
nisbatan
ikki
tartib
kichik
qilib
olinadi.
Emitter tokida elektronlarning injeksiya toki
I
En
ulushini
injeksiya koeffitsienti
deb ataluvchi kattalik ifodalaydi. U emitter ishlash samaradorligini belgilab,
emitter
tokidagi
foydali
tok
ulushini
ko‘rsatadi
Odatda =0,990-0,995 ni tashkil etadi. Bazaga injeksiyalangan elektronlar, bazada
kollektor tomonga diffuziyalanib KO‘gacha etib boradi. So‘ngra kollektorga
ekstraksiyalanadi (KO‘ning elektr maydoni ta’sirida kollektorga tortib olinadi) va
kollektor
toki
I
Kn
ni
hosil
qiladi.
Kollektorga o‘tish davomida injeksiyalangan elektronlarning
bir qismi baza
sohadagi kovaklar bilan uchrashib rekombinatsiyalanadi va ularning
konsentratsiyasi kamayadi. Etishmovchi kovaklar tashqi zanjir orqali kirib (elektr
neytrallik sharti bajarilishi uchun), baza tokining rekombinatsion takshil
etuvchisi
I
BREK
ni hosil qiladi.
I
BREK
qiymati katta bo‘lgani
uchun uni
kamaytirishga harakat qilinadi. Bunga baza kengligini kamaytirish bilan
erishiladi.
Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokining baza sohasida rekombinatsiya
hisobiga
kamayishi elektronlarni tashish koeffitsienti deb ataluvchi kattalik
bilan
ifodalanadi
.
Real
tranzistorlarda
=0,980
÷
0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning KO‘ teskari yo‘nalishda siljitilgan (
U
KB
bilan amalga
oshiriladi)
ligi sababli, kollektor zanjirida
xususiy tok I
K0
oqadi. U ikki xil
noasosiy zaryad tashuvchilarning dreyf toklaridan tashkil topgan.
Natijada r-n
o‘tishning teskari toki amalda teskari kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaydi va xona
temperaturasida kremniyli o‘tishlarda I
K0
=10
-15
A ni tashkil eatdi. Shunday qilib,
emitter toki
boshqaruvchi, kollektor toki esa
boshqariluvchidir. Shuning uchun
BT
